T2M 低頻高飽和功率材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    T2M 為低頻高飽和錳鋅功率鐵氧體，初始磁導率（μi）2000，飽和磁通密度（Bs）510 mT（25 ℃）／410 mT（100 ℃），居里溫度高於 220 ℃。相較 T2，它把 100 ℃ 的 Bs 提高 20 mT、居里溫度提高 40 ℃，矯頑力（Hc）在 25 ℃ 與 100 ℃ 都維持 10 A/m，磁滯特性不隨溫度漂移；損耗略高於 T2（25 kHz／200 mT：270 → 330 kW/m³；100 kHz／100 mT：360 → 520 kW/m³），仍屬低頻功率材料的常見水準。在低頻高 Bs 群中，T2M 是耐溫取向的一支：以損耗優先、磁芯溫度不高時選 T2；需要更高的 100 ℃ Bs（TB2 460 mT、TM82 500 mT）與直流偏磁承受力時往 TB2／TM82 走。選用時以熱態的飽和裕度而非常溫 μi 判斷——它的 μi 低於 T2，優勢在 Bs 與 Tc。

  • 品名

  • 特長

    一般用途铁氧体材料适合在低频率100KHz以下，有良好的饱和磁通密度表现。可用于低频下的功率电感应用。适合使用于DR/DRH/ROD等开放磁路的的产品外形。

  • 用途

    典型應用為 100 kHz 以下、磁芯溫度偏高的電子鎮流器、低頻電源變壓器與儲能扼流圈。

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產品介紹

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性
Characteristic		條件
Condition		25 ℃100 ℃單位
Unit
初始磁導率
Initial Permeability μi		100 kHz & <0.2 mT2000±25%
增幅磁導率
Amplitude Permeability μa		25 kHz/400 mT> 500> 500
飽和磁通密度
Saturation Flux Density Bs		1200 A/m 100 Hz510410mT
殘留磁通密度
Remanence Br		1200 A/m 100 Hz130130mT
矯頑力
Coercivity Hc		1200 A/m 100 Hz1010A/m
相對損耗因子
Loss Factor		100 kHz & <0.2 mT< 2510⁻⁶
居里溫度
Curie Temperature Tc		100 kHz & <0.2 mT> 220℃
密度
Density D		阿基米德法 Archimedes method4.90g/cm³
電阻率
Electrical Resistivity ρ		直流電流 DC Current>6Ω·m

功率損耗 Pcv Power Loss · kW/m³

測試條件
Condition		25 ℃100 ℃
25 kHz/200 mT270330
100 kHz/100 mT360520