T10 極高磁導率低殘磁材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
T10 為極高磁導率低殘磁錳鋅鐵氧體,初始磁導率(μi)10000,飽和磁通密度(Bs)420 mT(25 ℃)/240 mT(100 ℃),居里溫度高於 140 ℃。殘留磁通密度(Br)70 mT(25 ℃)/60 mT(100 ℃)為族內最低,矯頑力(Hc)8 → 6 A/m:直流暫態或開關浪湧過後磁芯幾乎不留殘磁,電流互感器的比差與相位差不會因此偏移;100 kHz 相對損耗因子低於 15×10⁻⁶,磁滯常數 ηB 0.4×10⁻⁶/mT,共模扼流圈在同體積下取得接近 T12 的阻抗。與 T12 相比,居里溫度由 110 ℃ 提高到 140 ℃,100 ℃ 的 Bs 由 210 mT 提高到 240 mT,工作溫度上限更寬。在高磁導率族中,T10 是 T12 的耐溫低殘磁版:μi 上限優先且環境溫和時選 T12(μi 12000);溫度特性優先選 T07;需要熱態 Bs 選 T05。μi 公差 ±30 %,感量精度要求高時以匝數或氣隙微調。
- 品名
- 特長
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用途
典型應用為精密電流互感器與漏電保護互感器、電源輸入端共模扼流圈、寬頻訊號變壓器。
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產品介紹
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 Characteristic | 條件 Condition | 25 ℃ | 100 ℃ | 單位 Unit |
| 初始磁導率 Initial Permeability μi | 100 kHz & <0.2 mT | 10000±30% | ||
| 飽和磁通密度 Saturation Flux Density Bs | 1200 A/m 50 Hz | 420 | 240 | mT |
| 殘留磁通密度 Remanence Br | 1200 A/m 50 Hz | 70 | 60 | mT |
| 矯頑力 Coercivity Hc | 1200 A/m 50 Hz | 8 | 6 | A/m |
| 相對損耗因子 Loss Factor | 100 kHz | <15 | 10⁻⁶ | |
| 磁滯常數 Hysteresis Constant ηB | 100 kHz 1.5-3.0 mT | 0.4 | 10⁻⁶/mT | |
| 溫度係數 Temperature Factor αf | 100kHz <0.2 mT | 1~2 | 10⁻⁶ | |
| 居里溫度 Curie Temperature Tc | 100 kHz & <0.2 mT | >140 | ℃ | |
| 密度 Density D | 阿基米德法 Archimedes method | 5.0 | g/cm³ | |
| 電阻率 Electrical Resistivity ρ | 直流電流 DC Current | 0.2 | Ω·m |