DL3高磁通耐熱衝擊材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    DL3 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 350，飽和磁通密度（Bs）約 350 mT（25 ℃）／280 mT（100 ℃），居里溫度高於 200 ℃。中等導磁率搭配約 10⁷ Ω·m 的高電阻率，使其在低磁通條件下維持極低的相對損耗因子（15×10⁻⁶ @0.1 MHz／30×10⁻⁶ @2.0 MHz），訊號失真與插入損耗小；優異的耐熱衝擊性能可承受回焊的急劇溫變，特別適合 SMD 型元件。在 DL 系列中，DL3 為基準通用型：需要更高感度時選 DL4（μi 約 600）；需要更高飽和磁通與耐溫時選 DL5／DL6；DL5H 則兼顧較高導磁率與較高 Bs。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為寬頻與平衡–不平衡（Balun）變壓器、共模與差模 EMI 抑制、射頻調諧元件、中高頻小功率電感與 RF choke，亦用於汽車 ABS 感測器等精密磁感測磁芯。

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產品介紹

特性
Characteristic		條件
Condition		值
Value		單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability		100 kHz & <0.2 mT350±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz350mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz280
殘留磁通密度 Br
Remanence		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz205mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz125
矯頑力 Hc
Coercivity		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz45A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz40
αμr（溫度係數）
Temperature coefficient of permeability		20～60 ℃25×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor		0.1 MHz & <0.2 mT15×10⁻⁶
2.0 MHz & <0.2 mT30
居里溫度 Tc
Curie Temp.		100 kHz & <0.2 mT>200℃
密度 D
Density		阿基米德法
Archimedes method		5.0g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity		直流電流
DC Current		10⁷Ω·m
功率損耗 Pcv
Power Loss		100 kHz/100 mT｜500 kHz/30 mT｜1 MHz/30 mT · 25 °C925｜422｜1160kW/m³

備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。25 ℃ 之功率損耗 Pcv 為 T31×19×8 環形磁芯繞線 3 匝實測。