DL4高磁通耐熱衝擊材料

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    DL4 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 600,飽和磁通密度(Bs)350 mT,居里溫度高於 200 °C。具高靈敏度與低損耗特性,並具有優異的耐熱衝擊性能與耐焊能力。適合低頻至中頻的精密信號處理,包括高精度寬頻變壓器、感測線圈與 EMI 濾波器,特別適用於對靈敏度要求高的 SMD 應用。亦可應用於低電流高頻功率電感與阻抗調諧線圈,適合訊號與電源混合模組設計。

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產品介紹


特性
CHARACTERISTICS
測試條件
CONDITION
典型值
TYPICAL VALUE
单位
UNIT
 
 
初始磁導率 ui
Initial Permeability
100KHz & <0.2mT 600±25%    
 
 
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m
100Hz
25℃ 350 mT  
100℃ 265  
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m
100Hz
25℃ 170 mT  
100℃ 110  
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m
100Hz
25℃ 32 A/m  
100℃ 20  
αμγ 20-60℃ 30 x10-6  
(溫度系數)  
相對損失因子
Loss Factor
0.1MHz &<0.2mT 12 x10-6  
1.5MHz& <0.2mT 80  
居禮溫度Tc
Curie Temp.
100KHz & <0.2mT >200  
 
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.0 g/cm3  
 
電阻 ρ
Electrical Resistivity
直流电流
DC Current
107 Ω-m