DL4高磁通耐熱衝擊材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    DL4 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 600，飽和磁通密度（Bs）約 350 mT（25 ℃）／265 mT（100 ℃），居里溫度高於 200 ℃。較高的導磁率提高單位匝數的感量——在環形等閉磁路的精密變壓器與濾波器中最為直接；低矯頑力（Hc 約 32 A/m）使磁滯損與訊號失真維持低位，低磁通下相對損耗因子僅 12×10⁻⁶（0.1 MHz），適合精密訊號路徑；損耗隨頻率上升較快（80×10⁻⁶ @1.5 MHz），故適用頻帶較 DL3 略偏低中頻。耐熱衝擊與耐焊性能優異，可承受回焊的急劇溫變。在 DL 系列中，DL4 是感度取向的一支：與 DL3（μi 約 350）相比標稱導磁率高約七成、頻帶略窄；需要高飽和磁通與耐溫時改選 DL5／DL6。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為高精度寬頻變壓器、感測線圈、EMI 濾波器與阻抗調諧線圈，特別適合對靈敏度要求高的 SMD 設計，亦可用於低電流高頻功率電感等訊號／電源混合模組。

  • 附件下載附件下載

產品介紹

特性
Characteristic		條件
Condition		值
Value		單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability		100 kHz & <0.2 mT600±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz350mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz265
殘留磁通密度 Br
Remanence		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz170mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz110
矯頑力 Hc
Coercivity		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz32A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz20
αμr（溫度係數）
Temperature coefficient of permeability		20～60 ℃30×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor		0.1 MHz & <0.2 mT12×10⁻⁶
1.5 MHz & <0.2 mT80
居里溫度 Tc
Curie Temp.		100 kHz & <0.2 mT>200℃
密度 D
Density		阿基米德法
Archimedes method		5.0g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity		直流電流
DC Current		10⁷Ω·m
功率損耗 Pcv
Power Loss		100 kHz/100 mT｜500 kHz/30 mT｜1 MHz/30 mT · 25 °C756｜420｜1233kW/m³

備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。25 ℃ 之功率損耗 Pcv 為 T31×19×8 環形磁芯繞線 3 匝實測。