DL4高磁通耐熱衝擊材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
DL4 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 600,飽和磁通密度(Bs)350 mT,居里溫度高於 200 °C。具高靈敏度與低損耗特性,並具有優異的耐熱衝擊性能與耐焊能力。適合低頻至中頻的精密信號處理,包括高精度寬頻變壓器、感測線圈與 EMI 濾波器,特別適用於對靈敏度要求高的 SMD 應用。亦可應用於低電流高頻功率電感與阻抗調諧線圈,適合訊號與電源混合模組設計。
- 品名
- 特長
- 用途
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產品介紹
特性 CHARACTERISTICS |
測試條件 CONDITION |
典型值 TYPICAL VALUE |
单位 UNIT |
||
初始磁導率 ui Initial Permeability |
100KHz & <0.2mT | 600±25% | |||
飽和磁通密度 Bs Saturation Flux Density |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 350 | mT | |
100℃ | 265 | ||||
殘留磁通密度 Br Remanence |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 170 | mT | |
100℃ | 110 | ||||
矯頑力 Hc Coercivity |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 32 | A/m | |
100℃ | 20 | ||||
αμγ | 20-60℃ | 30 | x10-6 | ||
(溫度系數) | |||||
相對損失因子 Loss Factor |
0.1MHz &<0.2mT | 12 | x10-6 | ||
1.5MHz& <0.2mT | 80 | ||||
居禮溫度Tc Curie Temp. |
100KHz & <0.2mT | >200 | ℃ | ||
密度 D Density |
阿基米德法 Archimedes method |
5.0 | g/cm3 | ||
電阻 ρ Electrical Resistivity |
直流电流 DC Current |
107 | Ω-m | ||