DL6高磁通耐熱衝擊材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    DL6 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 300,飽和磁通密度(Bs)約 440 mT(25 ℃)/370 mT(100 ℃),居里溫度高於 260 ℃。此材料以略低的導磁率換取全系列最高的磁通密度與溫度上限——100 ℃ 仍保有 370 mT,Tc 高於 260 ℃,可承受極端溫度循環(−40 ℃ 至 +200 ℃)與高溫回焊;低磁通下相對損耗因子 20×10⁻⁶(0.1 MHz)/50×10⁻⁶(2.0 MHz),中高頻損耗仍低。在 DL 系列中,DL6 是極限工況版:相較 DL5(Bs 約 420 mT、Tc >240 ℃)再往磁通與耐溫推進一級,代價是標稱導磁率略低、達到同樣感量需要較多匝數;若溫度與磁通需求未達極端等級,DL5 通常是更均衡的選擇。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為極端溫度環境下的高功率電感與射頻濾波器,以及航太、油井勘探等專用磁性元件,支援車規與軍規電源系統的高電流、高磁通設計,亦適合高可靠性 SMD 元件。

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產品介紹


特性
Characteristic
條件
Condition

Value
單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability
100 kHz & <0.2 mT300±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz440mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz370
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz300mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz204
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz57.7A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz44.3
αμr(溫度係數)
Temperature coefficient of permeability
20~60 ℃25×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor
0.1 MHz & <0.2 mT20×10⁻⁶
2.0 MHz & <0.2 mT50
居里溫度 Tc
Curie Temp.
100 kHz & <0.2 mT>260
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.2g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity
直流電流
DC Current
10⁷Ω·m
功率損耗 Pcv
Power Loss
32 kHz / 125 mT · 25 °C/100 °C/120 °C390 / 278 / 254kW/m³
64 kHz / 100 mT · 25 °C/100 °C/120 °C600 / 410 / 375
100 kHz/100 mT|500 kHz/30 mT|1 MHz/30 mT · 25 °C1063|451|1112

備註:各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值,由於幾何形狀和尺寸的影響,產品規格將與這些資料有所差異。25 ℃ 之功率損耗 Pcv 為 T31×19×8 環形磁芯繞線 3 匝實測。