L8A高磁導EMI材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    L8A 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 1600,飽和磁通密度(Bs)約 300 mT(25 ℃)/110 mT(100 ℃),居里溫度高於 120 ℃。高導磁率使其在數百 kHz 至數 MHz 的低頻段即可建立顯著阻抗,適合以有限匝數抑制電源線與大電流線路的傳導雜訊;低磁通損耗因子 15×10⁻⁶(0.1 MHz)/35×10⁻⁶(0.3 MHz)。標準化阻抗曲線提供 T31×19×8 環形與 RH5×1.5×10 磁珠兩種治具實測(見附件目錄頁),依元件型態選用對應數據。在 L 系階梯中,L8A 位於 L6A(μi 約 1200)與 L22A(約 2200)之間;本材料居里溫度較低(>120 ℃)、100 ℃ 時磁通餘裕明顯縮小,工作溫度偏高的場合應改選 L6A 或 L43。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為低頻 EMI 濾波器、大尺寸共模扼流圈與電源線抗干擾磁環,常見於電源系統與工控設備。

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產品介紹


特性
Characteristic
條件
Condition

Value
單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability
100 kHz & <0.2 mT1600±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz300mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz110
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz120mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz30
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz15A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz11
αμr(溫度係數)
Temperature coefficient of permeability
20~60 ℃4×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor
0.1 MHz & <0.2 mT15×10⁻⁶
0.3 MHz & <0.2 mT35
居里溫度 Tc
Curie Temp.
100 kHz & <0.2 mT>120
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.0g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity
直流電流
DC Current
10⁷Ω·m

備註:各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值,由於幾何形狀和尺寸的影響,產品規格將與這些資料有所差異。