L22A高磁導EMI材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    L22A 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 2200,飽和磁通密度(Bs)約 270 mT(25 ℃)/180 mT(80 ℃),居里溫度高於 90 ℃。高 μi 使其在百 kHz 級的低頻段即具高阻抗,矯頑力僅約 9 A/m、磁滯損很低,市電輸入端與大型共模電感可在低頻取得有效衰減;損耗因子 20×10⁻⁶(0.1 MHz)/35×10⁻⁶(0.3 MHz)。與 L28A(μi 約 2800)為相鄰檔位,兩者標稱 μi 差在 ±25% 公差帶內互有重疊,依低頻阻抗需求與溫度裕度擇一即可。本材料居里溫度高於 90 ℃,屬 L 系溫度上限較低的一端,適用於室溫至中溫環境;工作溫度較高或需要更寬頻帶時往 L8A、L6A、L43 方向優先選擇。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為低頻 EMI 抑制、電源輸入端濾波器與大型共模電感。

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產品介紹


特性
Characteristic
條件
Condition

Value
單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability
100 kHz & <0.2 mT2200±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz270mT
3000 A/m · 80 ℃ · 100 Hz180
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz110mT
3000 A/m · 80 ℃ · 100 Hz52
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz9A/m
3000 A/m · 80 ℃ · 100 Hz8
αμr(溫度係數)
Temperature coefficient of permeability
20~60 ℃8×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor
0.1 MHz & <0.2 mT20×10⁻⁶
0.3 MHz & <0.2 mT35
居里溫度 Tc
Curie Temp.
100 kHz & <0.2 mT>90
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.0g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity
直流電流
DC Current
10⁷Ω·m

備註:各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值,由於幾何形狀和尺寸的影響,產品規格將與這些資料有所差異。