V4F1 高頻穩定材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
V4F1 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 10，飽和磁通密度（Bs）約 150 mT（25 ℃）／140 mT（100 ℃），居里溫度高於 320 ℃。本材料以極低的導磁率換取極高的頻率上限——依 Snoek 定則，μi 越低共振頻率越高，V4F1 因此能在 VHF／UHF 頻段仍保持感性行為與低插入損耗，是 TAK 高頻穩定材料系列的頻率端點；居里溫度高於 320 ℃、Bs 隨溫度幾乎不變，特性對溫度極不敏感。同族的 V2F1（μi 約 30）名稱相近但定位不同——V4F1 的 μi 反而更低、頻率上限更高。
- 品名
- 特長
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用途
典型應用為 UHF 頻段以上的抑制磁珠、超高頻 RF 濾波器與高速信號線的共模雜訊抑制，亦見於無線充電與醫療電子的高頻電路。一般 100 MHz 級以下的濾波與諧振選 V2F1 或 M5E1 即可，V4F1 保留給最高頻段。
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產品介紹
| 特性 Characteristic |
條件 Condition |
值 Value |
單位 Unit |
| 初始磁導率 μi Initial Permeability |
100 kHz & <0.2 mT | 10±25% | |
| 飽和磁通密度 Bs Saturation Flux Density |
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 150 | mT |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 140 | ||
| 殘留磁通密度 Br Remanence |
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 95 | mT |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 90 | ||
| 矯頑力 Hc Coercivity |
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 1450 | A/m |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 1400 | ||
| αμr（溫度係數） Temperature coefficient of permeability |
20～60 ℃ | 40 | ×10⁻⁶/K |
| 相對損耗因子 tanδ/μi Relative Loss Factor |
25 MHz & <0.2 mT | 600 | ×10⁻⁶ |
| 100 MHz & <0.2 mT | 700 | ||
| 居里溫度 Tc Curie Temp. |
100 kHz & <0.2 mT | >320 | ℃ |
| 密度 D Density |
阿基米德法 Archimedes method |
4.9 | g/cm³ |
| 電阻率 ρ Volume Resistivity |
直流電流 DC Current |
10⁷ | Ω·m |
備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。