V4F1 高頻穩定材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
V4F1 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 10，飽和磁通密度（Bs）約 150 mT，居禮溫度高於 320 °C。其極低導磁率與優異高頻特性，使其適合應用於 UHF 頻段以上的抑制磁珠、超高頻 RF 濾波器，以及高速訊號線的共模噪聲抑制，同時確保低插入損耗與穩定的電氣性能。
- 品名
- 特長
- 用途
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產品介紹
| 特性 CHARACTERISTICS |
測試條件 CONDITION |
典型值 TYPICAL VALUE |
單位 UNIT |
||
| 初始磁導率 ui Initial Permeability |
100KHz & <0.2mT | 10±25% | |||
| Applicable frequency (適用頻率） |
<150 | MHz | |||
| 飽和磁通密度 Bs Saturation Flux Density |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 150 | mT | |
| 100℃ | 140 | ||||
| 殘留磁通密度 Br Remanence |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 95 | mT | |
| 100℃ | 90 | ||||
| 矯頑力 Hc Coercivity |
3000 A/m 100Hz |
25℃ | 1450 | A/m | |
| 100℃ | 1400 | ||||
| αμγ | 20-60℃ | 40 | x10-6 | ||
| (溫度系數) | |||||
| 相對損失因數 Loss Factor |
25MHz & <0.2mT | 600 | x10-6 | ||
| 100MHz & <0.2mT | 700 | ||||
| 居禮溫度Tc Curie Temp. |
100KHz & <0.2mT | >320 | ℃ | ||
| 密度 D Density |
阿基米德法 Archimedes method |
4.9 | g/cm3 | ||
| 表面電阻 ρ Electrical Resistivity |
直流電流 DC Current |
107 | Ω-m | ||