V2F1 高頻穩定材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    V2F1 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 30，飽和磁通密度（Bs）約 310 mT（25 ℃）／270 mT（100 ℃），居里溫度高於 300 ℃。與同族更低 μi 的檔位相比，V2F1 在保住約 90 MHz 頻率上限的同時，把飽和磁通拉回 310 mT 的水準——高頻電路帶有偏置或功率成分時，磁通餘裕明顯優於 V4F1／M5E1；居里溫度高於 300 ℃，嚴苛溫度下 Q 值穩定。名稱相近的 V4F1（μi 約 10）定位在更高頻段——編號與 μi 高低無關，選型以頻段與磁通需求為準：需要更高頻選 V4F1／M5E1，需要更高 Q 的中頻段選 M9A。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為 90 MHz 以下的高頻濾波器、RF 諧振元件與中頻段低損耗射頻電感。

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產品介紹

特性
Characteristic		條件
Condition		值
Value		單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability		100 kHz & <0.2 mT30±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz310mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz270
殘留磁通密度 Br
Remanence		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz180mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz160
矯頑力 Hc
Coercivity		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz610A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz600
αμr（溫度係數）
Temperature coefficient of permeability		20～60 ℃25×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor		10 MHz & <0.2 mT160×10⁻⁶
50 MHz & <0.2 mT270
居里溫度 Tc
Curie Temp.		100 kHz & <0.2 mT>300℃
密度 D
Density		阿基米德法
Archimedes method		4.9g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity		直流電流
DC Current		10⁷Ω·m

備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。