M63 高頻穩定材料

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  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    M63 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 180,飽和磁通密度(Bs)約 365 mT(25 ℃)/290 mT(100 ℃),居里溫度高於 300 ℃。在中高導磁率下仍保持低損耗(損耗因子 50×10⁻⁶ @0.5 MHz/80×10⁻⁶ @5.0 MHz),且 Bs 365 mT、Tc 高於 300 ℃——導磁率、損耗、磁通與耐溫四者的均衡使其成為中低頻至 HF 功率電感的通用主力。作為 EMI 抑制材料,其標準化阻抗以 RH5×1.5×10 磁珠實測(曲線見附件目錄頁)。階梯位置在 M61(μi 約 100)與 Q1C1(約 250)之間:需要更高頻率上限選 M61,需要更高感量密度選 Q1C1(其居里溫度較低,>140 ℃)。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為中低頻至高頻功率電感、射頻濾波器與工業電子的能量傳輸模組。

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產品介紹


特性
Characteristic
條件
Condition

Value
單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability
100 kHz & <0.2 mT180±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz365mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz290
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz240mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz190
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz200A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz150
αμr(溫度係數)
Temperature coefficient of permeability
20~60 ℃10×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor
0.5 MHz & <0.2 mT50×10⁻⁶
5.0 MHz & <0.2 mT80
居里溫度 Tc
Curie Temp.
100 kHz & <0.2 mT>300
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
4.9g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity
直流電流
DC Current
10⁷Ω·m

備註:各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值,由於幾何形狀和尺寸的影響,產品規格將與這些資料有所差異。