ME03 EMI 抑制材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
ME03 為 MnZn 體系的 EMI 抑制鐵氧體材料，初始磁導率（μi）約 350，飽和磁通密度（Bs）約 400 mT（25 ℃）／350 mT（100 ℃），居里溫度高於 260 ℃。此材料以較低的磁導率，換取較高的飽和磁通密度、居里溫度與 30 MHz 以上的寬頻損耗特性——標準化阻抗 ZN（標稱值）於 30／100／300 MHz 分別約 25／55／115 Ω/mm，於該頻段呈電阻主導，可將高頻共模噪聲轉為熱耗散而非儲存於磁路中。與同頻段的 NiZn 抑制材料相比，ME03 的飽和磁通密度明顯較高，在導線帶有直流或工作電流時阻抗衰減較小；居里溫度高於 260 ℃，亦有利於高溫環境下的特性穩定。電阻率約 10⁴ Ω·m，屬中高電阻率，繞線時仍建議使用絕緣導線或表面塗覆磁芯。本材料可在上述抑制應用中直接替代 NiZn 材料。
- 品名
- 特長
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用途
典型應用為 EMI 磁珠、EMI 磁環與共模扼流圈，用於高速資料傳輸介面、電源輸入端與車用線束的傳導噪聲抑制。
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產品介紹
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 Characteristic | 條件 Condition | 25 ℃ | 100 ℃ | 單位 Unit |
| 初始磁導率 Initial Permeability μi | f=10 kHz, B<0.25 mT | 350 ±25% | ||
| 飽和磁通密度 Saturation Flux Density Bs | 1200 A/m, 1 kHz | 400 | 350 | mT |
| 殘留磁通密度 Remanence Br | 1200 A/m, 1 kHz | 350 | 300 | mT |
| 矯頑力 Coercivity Hc | 1200 A/m, 1 kHz | 100 | 50 | A/m |
| 居里溫度 Curie Temperature Tc | f=10 kHz, B<0.25 mT | ≥260 | ℃ | |
| 密度 Density D | Archimedes method （阿基米德法） | 4.80 | g/cm³ | |
| 電阻率 Electrical Resistivity ρ | DC Current (直流電流) | 104 | Ωm | |
| 標準化阻抗 Normalized Impedance ZN | 30 MHz | ≥25 | Ω/mm | |
| 標準化阻抗 Normalized Impedance ZN | 100 MHz | ≥55 | Ω/mm | |
| 標準化阻抗 Normalized Impedance ZN | 300 MHz | ≥115 | Ω/mm |