技術中心 - 鐵研科技股份有限公司

TM81 寬溫中頻低損耗材料

產品代號
化學式
外觀
特性
TM81 為寬溫中頻低損耗錳鋅功率鐵氧體，初始磁導率（μi）3000，飽和磁通密度（Bs）520 mT（25 ℃）／420 mT（100 ℃），居里溫度高於 220 ℃。損耗曲線針對 300 kHz／100 mT 調整：該點為 260 kW/m³（25 ℃）／310 kW/m³（100 ℃），200 kHz／125 mT 為 230 → 270 kW/m³，兩個溫度的差距都在兩成以內，冷機與熱態表現一致；殘留磁通密度（Br）50 mT、矯頑力（Hc）7 A/m（100 ℃）把磁滯損壓低。100 kHz／200 mT 為 340 → 400 kW/m³，與 TM80 相當而略高於其 100 ℃ 值。在寬溫三支中，TM81 是 300 kHz 段的選擇：工作點在 100 kHz 高磁通時回到 TM80（100 ℃ 330 kW/m³）；磁芯長時間停在 120–140 ℃ 則選 TM83。以工作頻率與磁通擺幅定位，再以磁芯實際溫度確認損耗。
品名
特長
宽温度区间内有相对更低的能量损耗密度，以及相对较高的饱和磁通密度，中高频率的多用途铁氧体材料，可用于电源变压器、电感和滤波器材料。可提供各式形状和环形的产品外形。
用途
典型應用為 200–300 kHz 的 LLC 諧振與半橋變壓器、伺服器與通訊電源、PFC 前級的寬溫設計。
附件下載

特性 Characteristic	條件 Condition	25 ℃	100 ℃	單位 Unit
初始磁導率 Initial Permeability μi	100 kHz & <0.2 mT	3000±25%
增幅磁導率 Amplitude Permeability μa	25 kHz/400 mT	> 4000	> 3400
飽和磁通密度 Saturation Flux Density Bs	1200 A/m 100 Hz	520	420	mT
殘留磁通密度 Remanence Br	1200 A/m 100 Hz	70	50	mT
矯頑力 Coercivity Hc	1200 A/m 100 Hz	10	7	A/m
相對損耗因子 Loss Factor	100 kHz & <0.2 mT	<5		10⁻⁶
居里溫度 Curie Temperature Tc	100 kHz & <0.2 mT	>220		℃
密度 Density D	阿基米德法 Archimedes method	>4.85		g/cm³
電阻率 Electrical Resistivity ρ	直流電流 DC Current	>5		Ω·m