T2 低頻低損耗功率材料
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
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特性
T2 為低頻低損耗錳鋅功率鐵氧體,初始磁導率(μi)2800,飽和磁通密度(Bs)510 mT(25 ℃)/390 mT(100 ℃),居里溫度高於 180 ℃。損耗谷底落在常溫:25 kHz/200 mT 為 110 kW/m³(25 ℃)→ 200 kW/m³(100 ℃),100 kHz/100 mT 為 110 → 240 kW/m³,在同群四支中兩個條件、兩個溫度都是最低;2800 的 μi 讓低頻下同一感量所需匝數最少,銅損與繞線體積跟著縮小。在低頻高 Bs 群中,T2 是損耗基準:磁芯長時間停在高溫、或需要更高的 100 ℃ Bs 時選 T2M(410 mT,Tc >220 ℃);帶直流偏磁的 PFC 與儲能扼流圈選 TM82。損耗隨溫度上升,散熱設計要讓磁芯保持在中低溫,並為 180 ℃ 的居里溫度留裕度。
- 品名
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特長
一般用途铁氧体材料适合在低频率100KHz以下,有良好的饱和磁通密度表现。可用于低频下的功率电感应用。适合使用于DR/DRH/ROD等开放磁路的的产品外形。
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用途
典型應用為 100 kHz 以下的電子鎮流器電感、低頻開關電源變壓器、寬頻巴倫與電流互感器。
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產品介紹
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 Characteristic | 條件 Condition | 25 ℃ | 100 ℃ | 單位 Unit |
| 初始磁導率 Initial Permeability μi | 100 kHz & <0.2 mT | 2800±25% | ||
| 增幅磁導率 Amplitude Permeability μa | 25 kHz/400 mT | > 1000 | > 500 | |
| 飽和磁通密度 Saturation Flux Density Bs | 1200 A/m 100 Hz | 510 | 390 | mT |
| 殘留磁通密度 Remanence Br | 1200 A/m 100 Hz | 135 | 110 | mT |
| 矯頑力 Coercivity Hc | 1200 A/m 100 Hz | 15 | 10 | A/m |
| 相對損耗因子 Loss Factor | 100 kHz & <0.2 mT | < 12 | 10⁻⁶ | |
| 居里溫度 Curie Temperature Tc | 100 kHz & <0.2 mT | >180 | ℃ | |
| 密度 Density D | 阿基米德法 Archimedes method | 4.80 | g/cm³ | |
| 電阻率 Electrical Resistivity ρ | 直流電流 DC Current | >5 | Ω·m |
功率損耗 Pcv Power Loss · kW/m³
| 測試條件 Condition | 25 ℃ | 100 ℃ |
| 25 kHz/200 mT | 110 | 200 |
| 100 kHz/100 mT | 110 | 240 |