DL5高磁通耐熱衝擊材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    DL5 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 400,飽和磁通密度(Bs)約 420 mT(25 ℃)/350 mT(100 ℃),居里溫度高於 240 ℃。特點是磁通密度隨溫度的衰減小——100 ℃ 仍保有 350 mT,配合僅 8 A/m 的高溫矯頑力與高於 240 ℃ 的居里溫度,在高溫、高電流下不易飽和、損耗增幅小;相對損耗因子至 2.0 MHz 仍僅 34×10⁻⁶,可支援中高頻功率應用。耐熱衝擊與耐焊性能優異,適合長時間運行於高溫環境的 SMD 電源模組。在 DL 系列中,DL5 是功率取向的主力:相較 DL3/DL4 具有更高的 Bs 與耐溫;需要極限磁通與耐溫時改選 DL6(Bs 約 440 mT、Tc >260 ℃);需要較高導磁率同時保有高 Bs 時可選 DL5H(μi 約 530)。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為高功率寬頻電感、EMI 濾波器與耐高溫共模扼流圈,特別適合中高頻、高電流的工業與車規級功率設計。

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產品介紹


特性
Characteristic
條件
Condition

Value
單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability
100 kHz & <0.2 mT400±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz420mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz350
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz280mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz220
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz25A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz8
αμr(溫度係數)
Temperature coefficient of permeability
20~60 ℃25×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor
0.1 MHz & <0.2 mT15×10⁻⁶
2.0 MHz & <0.2 mT34
居里溫度 Tc
Curie Temp.
100 kHz & <0.2 mT>240
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.1g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity
直流電流
DC Current
10⁷Ω·m
功率損耗 Pcv
Power Loss
32 kHz / 125 mT · 25 °C/100 °C/120 °C396 / 279 / 258kW/m³
64 kHz / 100 mT · 25 °C/100 °C/120 °C604 / 412 / 378
100 kHz/100 mT|500 kHz/30 mT|1 MHz/30 mT · 25 °C1015|436|1119

備註:各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值,由於幾何形狀和尺寸的影響,產品規格將與這些資料有所差異。25 ℃ 之功率損耗 Pcv 為 T31×19×8 環形磁芯繞線 3 匝實測。