G5A高導磁高磁通EMI材料

  • 產品代號

  • 化學式

  • 外觀

  • 特性

    G5A 為鎳鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 800，飽和磁通密度（Bs）約 400 mT（25 ℃）／310 mT（100 ℃），居里溫度高於 190 ℃。本材料在 μi≈800 的阻抗水準上配置了高飽和磁通：差模濾波與功率電感的導線直接承載工作電流，較高的 Bs（100 ℃ 仍有約 310 mT）使阻抗與感量在直流偏置及大電流下不易塌陷；相對損耗因子低至 10×10⁻⁶（0.1 MHz）／30×10⁻⁶（1.0 MHz），亦可勝任 0.1～1 MHz 的功率電感與直流轉換器。同為標稱 μi≈800 的三種材料中，G5A 以高 Bs 主打差模與功率承載（寬溫低漂移選 SL80、EMI 寬頻抑制選 L43）；需要更高阻抗與儲能時可選 G5B（μi 約 1000、Bs 約 390 mT）。

  • 品名

  • 特長

  • 用途

    典型應用為電源模組的功率電感、EMI 共模／差模濾波器與高頻變壓器，車用領域見於 ADAS 感測器與電機驅動系統的 EMC 防護。

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產品介紹

特性
Characteristic		條件
Condition		值
Value		單位
Unit
初始磁導率 μi
Initial Permeability		100 kHz & <0.2 mT800±25%
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz400mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz310
殘留磁通密度 Br
Remanence		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz250mT
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz220
矯頑力 Hc
Coercivity		3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz25A/m
3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz15
αμr（溫度係數）
Temperature coefficient of permeability		20～60 ℃10×10⁻⁶/K
相對損耗因子 tanδ/μi
Relative Loss Factor		0.1 MHz & <0.2 mT10×10⁻⁶
1.0 MHz & <0.2 mT30
居里溫度 Tc
Curie Temp.		100 kHz & <0.2 mT>190℃
密度 D
Density		阿基米德法
Archimedes method		5.1g/cm³
電阻率 ρ
Volume Resistivity		直流電流
DC Current		10⁷Ω·m
功率損耗 Pcv
Power Loss		100 kHz/100 mT｜500 kHz/30 mT｜1 MHz/30 mT · 25 °C562｜366｜994kW/m³

備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。25 ℃ 之功率損耗 Pcv 為 T31×19×8 環形磁芯繞線 3 匝實測。