G5B高導磁高磁通EMI材料

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  • 特性

    G5B 為鎳鋅鐵氧體材料,初始導磁率(μi)約 1000,飽和磁通密度(Bs)約 390 mT,居裡溫度高於 180 °C。其特性在於相較 G5A 具有更高的導磁率與稍高的飽和磁通密度,因此在 EMI 共模/差模應用中能展現更高阻抗,並在功率電感中提供更高的能量儲存與承載能力。G5B 屬於廣泛適用的通用型材料,可用於電源模組、電流補償電感、共模濾波器以及差模濾波器,兼顧電流承載力與 EMI 抑制。

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產品介紹


特性
CHARACTERISTICS
測試條件
CONDITION
典型值
TYPICAL VALUE
單位
UNIT
 
 
初始磁導率 ui
Initial Permeability
100KHz & <0.2mT 1000±25%    
 
飽和磁通密度 Bs
Saturation Flux Density
3000 A/m
100Hz
25℃ 390 mT  
100℃ 300  
殘留磁通密度 Br
Remanence
3000 A/m
100Hz
25℃ 235 mT  
100℃ 150  
矯頑力 Hc
Coercivity
3000 A/m
100Hz
25℃ 25 A/m  
100℃ 20  
αμγ 20-60℃ 8 x10-6  
(溫度系數)  
相對損失因數
Loss Factor
0.1MHz &<0.2mT 15 x10-6  
1.0MHz &<0.2mT 45  
居禮溫度Tc
Curie Temp.
100KHz & <0.2mT >180  
 
密度 D
Density
阿基米德法
Archimedes method
5.1 g/cm3  
 
表面電阻 ρ
Electrical Resistivity
直流電流
DC Current
107 Ω-m