MGB1鎳鎂鋅材料 NI-MG-ZN MATERIAL
- 產品代號
- 化學式
- 外觀
-
特性
MGB1 為鎳鎂鋅鐵氧體材料，初始導磁率（μi）約 350，飽和磁通密度（Bs）約 380 mT（25 ℃）／320 mT（100 ℃），居里溫度高於 200 ℃。以鎂取代部分鎳的配方在降低材料成本的同時，保住了相當完整的特性組合：Bs 達 380 mT、Tc 高於 200 ℃，低磁通損耗因子 15×10⁻⁶（0.1 MHz）／35×10⁻⁶（2.0 MHz）與純鎳鋅通用材同級，是鎳鎂鋅組的性能上限。與同標稱 μi 350 的 DL3 相比，MGB1 的定位是成本效率（DL3 主打耐熱衝擊與 SMD 回焊可靠性）；鎳鎂鋅／鎂鋅組內需要更低成本可退至 MG2 或 MF 系，但損耗與溫度特性亦隨之讓步。
- 品名
- 特長
-
用途
典型應用為寬頻 EMI 抑制、高速數據線磁珠與中高頻濾波電感，亦用於一般 choke 與 RFID 天線等對成本敏感的量產場合。
-
附件下載
產品介紹
| 特性 Characteristic | 條件 Condition | 值 Value | 單位 Unit |
| 初始磁導率 μi Initial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 350±25% | |
| 飽和磁通密度 Bs Saturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 380 | mT |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 320 | ||
| 殘留磁通密度 Br Remanence | 3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 250 | mT |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 180 | ||
| 矯頑力 Hc Coercivity | 3000 A/m · 25 ℃ · 100 Hz | 18 | A/m |
| 3000 A/m · 100 ℃ · 100 Hz | 15 | ||
| αμr（溫度係數） Temperature coefficient of permeability | 20～60 ℃ | 25 | ×10⁻⁶/K |
| 相對損耗因子 tanδ/μi Relative Loss Factor | 0.1 MHz & <0.2 mT | 15 | ×10⁻⁶ |
| 2.0 MHz & <0.2 mT | 35 | ||
| 居里溫度 Tc Curie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >200 | ℃ |
| 密度 D Density | 阿基米德法 Archimedes method | 5.1 | g/cm³ |
| 電阻率 ρ Volume Resistivity | 直流電流 DC Current | 10⁷ | Ω·m |
備註：各項數值均為環形磁芯T31×19×8測得的典型數值，由於幾何形狀和尺寸的影響，產品規格將與這些資料有所差異。