鎳鋅／錳鋅跨體系材料定位
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- 化學式
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- 特性
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用途
先確認應用場景，再決定用鎳鋅（NiZn）還是錳鋅（MnZn）。MnZn 具高磁導率、高 Bs、低電阻率，是 2 MHz 以下功率轉換、高磁導與低頻大電流的主場；NiZn 具高電阻率，是 MHz 級信號／天線、高頻功率與 30 MHz 以上 EMI 抑制的主場。下表分別以 NiZn 視角與 MnZn 視角列出各應用的對應材料與分界原則，兩本目錄的材料名可直接對照。
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產品介紹
NiZn 視角 NiZn perspective
以 NiZn 視角定位兩大材料體系：MHz 級信號／天線、高頻功率與 30 MHz 以上 EMI 抑制為 NiZn 主場。先在下表找到應用場景與對應材料，再到各材質頁面查閱材質規格；表中同時列出本公司對應之 MnZn 材料名以便跨體系比較。
| 應用 Application | NiZn 對應材料 NiZn materials | MnZn 對應材料 MnZn materials | 分界原則 Boundary rule |
|---|---|---|---|
| NiZn 專屬與跨體系場景 NiZn-dominant & cross-family scenarios | |||
| 天線棒／RFID／高Q電感 Antenna rods / RFID / high-Q inductors | V4F1 M5E1 V2F1 M9A M61 M61H M63 Q1C1（高頻穩定） | — | MHz 級開放磁路天線與高Q應用為 NiZn 主場（約1–100 MHz 按 μi 階梯） |
| 高頻功率／大電流電感 HF power / high-current inductors | DL3 DL4 DL5 DL6 DL5H G5A G5B（高磁通耐熱衝擊） | TM61／TM65★ | >5 MHz 或 SMD 耐焊需求選 NiZn |
| 寬溫功率電感（低溫度係數） Wide-temp inductors (low αμr) | SL50 SL80（寬溫穩定） | TM83★ | 需低溫度係數時選 NiZn |
| NiZn EMI 抑制 NiZn EMI suppression | L43 L6A L8A L22A L28A G5A G5B（高磁導 EMI） | ME03★（30–1000 MHz，錳鋅目錄收錄） | 開放磁路／夾扣式等形狀用 NiZn |
| 低μ調諧／高頻諧振 Low-μ tuning / HF resonance | V4F1～M63（μi 10～180） | — | MnZn 無對應類別 |
| 經濟型電感／EMI（鎂鋅） Cost-effective inductors / EMI (MgZn) | MGB1 MG2 MF1 MF2 MF3（鎳鎂鋅及鎂鋅） | — | 成本導向之中低頻電感／EMI |
| MnZn 應用場景（對應 MnZn 材料名如下） MnZn scenarios with corresponding grades | |||
| 開關電源變壓器 Switching PSU transformers | — | TP44／TP45 | ≤0.5 MHz 均為 MnZn 主場 |
| LLC／諧振與橋式變壓器 LLC / resonant & bridge transformers | — | TM59★ | 1 MHz 以內 MnZn；更高頻諧振用 NiZn 高頻穩定系 |
| MHz級高頻功率變壓器 MHz-class HF power transformers | DL3～DL5H・SL50/SL80 | TM61 | >5 MHz 之功率／諧振應用改用 NiZn |
| 寬溫／高溫環境電源 Wide/high-temperature power | — | TM83★ | MnZn 主場（無 NiZn 對應） |
| PFC扼流圈／儲能電感 PFC chokes / energy-storage inductors | — | TM82 | MnZn 主場（無 NiZn 對應） |
| VRM／TLVR／PoL 電感 VRM / TLVR / PoL inductors | DL3～DL5H（高磁通耐熱衝擊） | TM65★ | ≤3 MHz 用 MnZn；>5 MHz 用 NiZn |
| 脈衝／柵極驅動變壓器 Pulse / gate-drive transformers | — | TM71 | MnZn 主場（無 NiZn 對應） |
| 寬頻訊號變壓器／互感器 Wideband signal transformers / CTs | V4F1～Q1C1（高Q） | E02～T12（按 μi） | 約 0.5–1 MHz 以上改用 NiZn |
| 低頻電源／鎮流器／巴倫 Low-frequency power / ballasts / baluns | V4F1～Q1C1（高頻穩定） L43～L28A（高磁導・寬頻） | T2／T2M・TB2 | 低頻電源與鎮流器為 MnZn 主場；RF／寬頻巴倫實務多用 NiZn |
| 共模扼流圈／電源EMI濾波 Common-mode chokes / mains EMI filters | L43～L28A（高磁導 EMI） | T10／T12（按 μi） | 噪聲 <2 MHz 用 MnZn 高導；>2 MHz 段用 NiZn |
| EMI抑制磁珠／磁環／套管 EMI beads / rings / sleeves | L43～L28A・G5A/G5B | ME03★ | 30–1000 MHz 寬頻抑制用 ME03★（錳鋅目錄收錄）；其他形狀／頻段用 NiZn EMI 材料 |
MnZn 視角 MnZn perspective
以 MnZn 視角定位兩大材料體系：2 MHz 以下的功率轉換、高磁導與低頻大電流為 MnZn 主場。先在下表找到應用場景與對應材料，再到各材質頁面查閱材質規格；表中同時列出本公司對應之 NiZn 材料名以便跨體系比較。
| 應用 Application | MnZn 對應材料 MnZn materials | NiZn 對應材料 NiZn materials | 分界原則 Boundary rule |
|---|---|---|---|
| 功率轉換 Power conversion | |||
| 開關電源變壓器（反激／正激）≤0.5 MHz Switch-mode transformers (flyback / forward) | TP44 TP45 TM80 TM81 | — | 標準頻段功率轉換為 MnZn 主場 |
| LLC／諧振與橋式變壓器 0.1–1 MHz LLC / resonant & bridge transformers | TM59★ TM80 TM81 | — | 諧振拓撲之低損需求，MnZn 專屬 |
| MHz 級高頻功率變壓器（GaN／SiC） MHz-range HF transformers (GaN / SiC) | TM61 TM63 TM65★ | DL3 DL4 DL5 | 5 MHz 以下用 MnZn；以上或 SMD 耐焊需求改 NiZn |
| 寬溫／高溫環境（至 140 ℃） Wide- / high-temperature service (to 140 °C) | TM83★ TM50A | SL50 SL80 | 需低溫度係數且高頻→NiZn；高 Bs 寬溫→MnZn |
| 功率電感 Power inductors | |||
| PFC 扼流圈與大電流儲能電感 PFC chokes & high-current energy-storage inductors | TM82（Bs 600 mT） TB2 | — | 高 Bs 抗直流偏磁為 MnZn 專屬 |
| VRM／TLVR／PoL 高頻電感 VRM / TLVR / PoL high-frequency inductors | TM65★ TM61 | DL5 G5A | 較大電感量用 MnZn；SMD 小型化用 NiZn |
| 低頻電感／鎮流器／巴倫 ≤0.1 MHz Low-frequency inductors / ballasts / baluns | T2 T2M TB2 | — | 低頻高 Bs 低損，MnZn 專屬 |
| 訊號與低頻 Signal & low-frequency | |||
| 脈衝與柵極驅動變壓器 Pulse & gate-drive transformers | TM71（μi 3800） | M63 Q1C1 | 需高 μi 與高 Bs 兼顧時選 MnZn |
| 寬頻訊號與電流互感器 Wideband signal & current transformers | E02 T05 T06 T07 T10 T12 | MGB1 MG2 MF 系列 | 高精度互感器用 MnZn 高磁導；成本導向用鎂鋅 |
| EMI 抑制 EMI suppression | |||
| 共模扼流圈／電源 EMI 濾波 ≤30 MHz Common-mode chokes / mains EMI filters | T10 T12（μi 10000／12000） | L43 L6A L22A L28A | 30 MHz 以下用 MnZn 高磁導；以上改 NiZn |
| EMI 抑制磁珠／磁環／套管 30–1000 MHz EMI beads / rings / cable sleeves | ME03★ | L43 L6A L8A M61 M63 | 套管／磁珠先看 ME03；開放磁路、夾扣式用 NiZn |
| 天線棒／RFID／高 Q 電感 Antenna rods / RFID / high-Q inductors | — | V4F1 M5E1 V2F1 M9A M61 | MHz 級開放磁路為 NiZn 主場，MnZn 無對應類別 |
體系分界原理（定性） Family boundaries (qualitative)
- MnZn：高磁導率・高 Bs・低電阻率 —— 功率轉換與 2 MHz 以下應用之主場。
- NiZn：高電阻率 —— MHz 以上信號／天線，與 30 MHz 以上 EMI 抑制之主場（見鎳鋅鐵氧體目錄）。
- ME03：MnZn 體系中面向 30–1000 MHz 抑制的特例。30 MHz 以上套管／磁珠抑制先看 ME03；其他形狀與更高頻段請參閱鎳鋅 EMI 材料。
★ 為 2027 年新材料。