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TM61 兆赫級低損耗功率材料

產品代號
化學式
外觀
特性
TM61 為兆赫級低損耗錳鋅功率鐵氧體，初始磁導率（μi）1000，飽和磁通密度（Bs）540 mT（25 ℃）／440 mT（100 ℃），居里溫度高於 260 ℃。1 MHz／50 mT 為 190 kW/m³（25 ℃）→ 155 kW/m³（100 ℃），3 MHz／10 mT 仍只有 100 → 90 kW/m³，兩點都是越熱越低；100 ℃ 殘留磁通密度（Br）50 mT、矯頑力（Hc）15 A/m。μi 1000 意味著磁導率的頻率上限往上推，MHz 級仍保有可用的感量與低損耗，GaN／SiC 開關把頻率推到 1–3 MHz 時磁芯不會成為效率瓶頸。在 700 kHz–5 MHz 群中，TM61 是變壓器取向的一支：1 MHz／50 mT 的熱態損耗低於 TM65（180 kW/m³），但直流偏磁能力略低（220 nH 檔 100 ℃ I@90 % 42.1 A 對 47.3 A），大電流電感選 TM65；2 MHz 以上、需要 Tc >290 ℃ 時選 TM63。500 kHz／100 mT 為 550 → 700 kW/m³，700 kHz 以下不是它的主場。
品名
特長
在高频率500KHz到3MHz下，有相对更低的能量损耗密度，以及相对较高的饱和磁通密度，高频率的多用途铁氧体材料，可用于高频下的电源变压器、功率电感。可提供各式形状和环形的产品外形。
用途
典型應用為 MHz 級 DC-DC 變換器、GaN／SiC 諧振與隔離變壓器、高頻功率電感。
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特性 Characteristic	條件 Condition	25 ℃	100 ℃	單位 Unit
初始磁導率 Initial Permeability μi	100 kHz & <0.2 mT	1000±25%
增幅磁導率 Amplitude Permeability μa	25 kHz/400 mT	> 2200	> 2000
飽和磁通密度 Saturation Flux Density Bs	1200 A/m 50 Hz	540	440	mT
殘留磁通密度 Remanence Br	1200 A/m 50 Hz	90	50	mT
矯頑力 Coercivity Hc	1200 A/m 50 Hz	20	15	A/m
相對損耗因子 Loss Factor	100 kHz	<5	<10	10⁻⁶
居里溫度 Curie Temperature Tc	100 kHz & <0.2 mT	>260		℃
密度 Density D	阿基米德法 Archimedes method	4.85		g/cm³
電阻率 Electrical Resistivity ρ	直流電流 DC Current	10		Ω·m