鐵研科技
NiZn Ferrite · 鎳鋅材質規格
DL4
高磁通耐熱衝擊材料HIGH FLUX & THERMAL SHOCK RESISTANT FERRITE
Wideband TransformerSensing CoilEMI FilterImpedance Tuning CoilHF Power Inductor
DL4 為鎳鋅鐵氧體材料，初始磁導率（μi）約 600，飽和磁通密度（Bs）約 350 mT（25 ℃）／265 mT（100 ℃），居里溫度高於 200 ℃。較高的磁導率提高單位匝數的感量——在環形等閉磁路的精密變壓器與濾波器中最為直接；低矯頑力（Hc 約 32 A/m）使磁滯損與信號失真維持低位，低磁通下相對損耗因子僅 12×10⁻⁶（0.1 MHz），適合精密信號路徑；損耗隨頻率上升較快（80×10⁻⁶ @1.5 MHz），故適用頻帶較 DL3 略偏低中頻。耐熱衝擊與耐焊性能優異，可承受迴流焊的急劇溫變。典型應用為高精度寬頻變壓器、傳感線圈、EMI 濾波器與阻抗調諧線圈，特別適合對靈敏度要求高的 SMD 設計，亦可用於低電流高頻功率電感等信號／電源混合模塊。在 DL 系列中，DL4 是靈敏度取向的一支：與 DL3（μi 約 350）相比標稱磁導率高約七成、頻帶略窄；需要高飽和磁通與耐溫時改選 DL5／DL6。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 初始磁導率 μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 600±25% | — |
| 飽和磁通密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 350 | mT |
| 飽和磁通密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 265 | mT |
| 殘留磁通密度 BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 170 | mT |
| 殘留磁通密度 BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 110 | mT |
| 矯頑力 HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 32 | A/m |
| 矯頑力 HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 20 | A/m |
| αμr（溫度係數）Temperature coefficient of permeability | 20～60 ℃ | 30 | ×10⁻⁶/K |
| 相對損耗因子 tanδ/μiRelative Loss Factor | 0.1 MHz & <0.2 mT | 12 | ×10⁻⁶ |
| 相對損耗因子 tanδ/μiRelative Loss Factor | 1.5 MHz & <0.2 mT | 80 | ×10⁻⁶ |
| 居里溫度 TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >200 | ℃ |
| 密度 DDensity | 阿基米德法 | 5.0 | g/cm³ |
| 電阻率 ρVolume Resistivity | 直流電流 | 10⁷ | Ω·m |
| 功率損耗 PcvPower Loss | 100 kHz/100 mT｜500 kHz/30 mT｜1 MHz/30 mT · 25 °C | 756｜420｜1233 | kW/m³ |
特性曲線
CURVE 01 · 初始磁導率—溫度特性
CURVE 02 · 複數磁導率—頻率特性
CURVE 03 · 靜態磁化曲線
CURVE 04 · 相對損耗因子—頻率特性
適用應用
| 應用 | 角色 | 頻段 | 溫度 |
|---|---|---|---|
| SMD 高頻低功率電感（mA 級） | 首選 | ≦2 MHz | — |
| 寬頻信號變壓器／balun | 首選 | ≦2 MHz | — |