鐵研科技
應用場景：AI 資料中心，從機櫃到 GPU
沿著電力路徑由機櫃走向 GPU：交流電進入機櫃時的共模扼流、電源供應器中的 LLC 隔離變壓器與諧振電感，再到 GPU 板上的 TLVR 多相耦合電感。
AI 伺服器的頻率持續上升、電流持續加大——這正是 TM59★ 與 TM65★ 兩支新材料的定位。
新架構
共模電感：EMI 濾波
Common-mode choke — EMI filtering
兩繞組同向繞於同一磁芯：共模磁通相加呈高阻抗，差模工作電流的磁通相互抵消。以阻抗－頻率選材。
- L1／L2共模扼流圈選「需要抑制頻段」的阻抗峰，而非電感值
頻段 → 材料
| 頻段 | 首選 | 替代 | 說明 |
|---|---|---|---|
| ≦2 MHz | T10T12 | T05 | Tc >110 ℃、100 ℃ Bs 210 mT，高溫環境留餘裕 |
| ≦30 MHz | — | E02 | 2–30 MHz 重疊段 |
| 鎳鋅 2–30 MHz | L22AL28ASL50SL80 | G5AG5B | |
| 鎳鋅 2–300 MHz | L43L8AL6A | — | 2–30 MHz 與 MnZn 重疊；RH5 Z 實測至 300 MHz 仍上升 |
2–30 MHz 為錳鋅／鎳鋅重疊段：低頻 Z 先達標，高頻 Z 盡量高。磁珠與套管見最後一頁「EMI 頻段總覽」。
建議外形
3D · 示意環形 T選擇系列 ▾
優點
- 磁路閉合無接縫、無氣隙，磁效率最高
- 自屏蔽好，漏磁小
- 磁芯成本最低，不需骨架
缺點
- 需穿孔繞線，繞線成本高
- 上板固定較不便
- 無氣隙，儲能電感需改用可研磨氣隙的組合形狀
3D · 示意UU／UT選擇系列 ▾
優點
- 窗口大，易繞大線徑
- 利於高壓絕緣與大功率
缺點
- 線圈外露、屏蔽弱
- 體積較大，多用於 PFC／高壓／大功率
3D · 示意RH 磁珠選擇系列 ▾
優點
- 直接套在導線或引腳上，不需骨架，安裝最簡單
- 用於線纜／引腳 EMI 抑制
缺點
- 以穿線使用為主，不作繞線電感
- 抑制頻段取決於材料，須依頻段選材
3D · 示意DR＋平板選擇系列 ▾
優點
- 開放磁路，耐直流偏置
- 繞線最簡單
- 可與 SP／SRI 磁罩配套，降低漏磁
缺點
- 單獨使用漏磁大，需注意 EMI
- 電感量受開放磁路限制
用在哪裡
每台電源的 AC 輸入濾波
車載 CAN／乙太網、高壓線束 EMI
電源輸入、USB／資料線
半橋 LLC：主變壓器＋諧振電感
Half-bridge LLC — transformer & resonant inductor
Lr–Cr–Lm 諧振讓開關零電壓切換；變壓器以氣隙控制 Lm，Lr 常以漏感整合。選材先看工作頻率。
- Np／NsLLC 主變壓器（含 Lm 氣隙）最嚴苛點在最低工作頻率
- Lr諧振電感與主變壓器同頻段，材料同一頻段選
頻段 → 材料
| 頻段 | 首選 | 替代 | 說明 |
|---|---|---|---|
| ≦0.3 MHz | TM83★TM80TM81 | TP40TP44TP45 | |
| 0.3–1 MHz | TM59★ | TM50ATM65★ | 超過 300 kHz 才用 |
| 1–5 MHz | TM63 | TM61 | 小尺寸 MHz 級變壓器首選（損耗最低） |
| 鎳鋅 | — | — | 本指南未列 TAK NiZn 對應：主流方案為 MnZn；TAK 無 4F1 級 NiZn 功率料 |
變壓器 ≦0.3 MHz 首選 TM8x、依最佳工作溫度區間選（TP 為替代）；>0.3 MHz 優先 TM5x。
最佳工作溫度（℃）：TM83★ 25–140、TM80 25–100、TM81 25–120、TM59★ 25–100、TM63 40–80。
建議外形
3D · 示意EE／ETD選擇系列 ▾
優點
- 骨架繞線與組裝最簡便
- 散熱最好
- 磁芯成本低
缺點
- 自屏蔽弱，漏磁較大
- 需骨架；低高度需求改用 EFD
用在哪裡
伺服器 PSU DC/DC 級；機櫃 800 V→50 V
OBC（CLLC）、高壓轉 12 V
充電樁模組、通訊電源、TV 電源
降壓 Buck：輸出電感
Buck converter — output inductor
電感串在輸出側：直流大、交流擺幅小，設計由飽和（直流偏磁）主導，不是磁芯損耗。
- L輸出儲能電感先看高溫 Bs 與氣隙，再看損耗；多相並聯即 VRM／TLVR
頻段 → 材料
| 頻段 | 首選 | 替代 | 說明 |
|---|---|---|---|
| Buck ≦0.1 MHz | TM82 | — | Bs 600 mT，開氣隙承受偏磁 |
| Buck 0.1–0.5 MHz | TM71 | — | 看 IDC：μi 3800＋高 Bs |
| Buck 0.5–0.8 MHz | TM59★ | — | |
| Buck 0.8–3 MHz | TM65★ | TM61TM63 | |
| Buck ≦0.3 MHz | — | TM80TM83★TP44TP45 | 重視損耗時；高溫（磁芯至 140 ℃） |
| VRM／TLVR ≦0.1 MHz | TM82 | — | |
| VRM／TLVR 0.1–0.5 MHz | TM71 | — | |
| VRM／TLVR 0.5–0.8 MHz | TM59★ | — | |
| VRM／TLVR 0.8–1 MHz | TM65★ | TM61 | |
| VRM／TLVR ≦0.3 MHz | — | TM80TM83★ | |
| 鎳鋅 | — | — | 本頁元件以 MnZn 為主，未列 TAK NiZn 對應；mA 級小電感見電路 11 |
建議外形
3D · 示意UD選擇系列 ▾
優點
- 立式貼裝，占板面積小
- 適合單匝或銅片繞組的大電流電感
- 耐直流偏磁，0.7 MHz 以上開關頻率
缺點
- 高度較高
- 以 VRM／TLVR 大電流用途為主
3D · 示意U＋I選擇系列 ▾
優點
- 臥式 U＋I 組合，高度低
- 適合單匝或銅片繞組的大電流電感
- 耐直流偏磁，0.7 MHz 以上開關頻率
缺點
- 占板面積較大
- 兩件組合，需控制 AL 一致性
3D · 示意SP＋I選擇系列 ▾
優點
- 屏蔽極佳，漏磁低
- 上板容易，繞線容易
- 與 I／R／DR 組合成低漏磁貼裝電感
缺點
- 散熱較弱
- 兩件組合
3D · 示意DR（鎳鋅 mA 級）選擇系列 ▾
優點
- 開放磁路，耐直流偏置
- 繞線最簡單
- 可與 SP／SRI 磁罩配套，降低漏磁
缺點
- 單獨使用漏磁大，需注意 EMI
- 電感量受開放磁路限制
用在哪裡
GPU／CPU 的 VRM、TLVR；板上 PoL
ECU／ADAS 處理器供電
主機板、網通、工控板上降壓
★＝2027 新材料。設備為通用示意，不代表已供應圖中終端；材料為選材候選，須依實際條件驗證。
