DL4 はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率（μi）約 600、飽和磁束密度（Bs）約 350 mT（25 ℃）／265 mT（100 ℃）、キュリー温度 200 ℃ 以上です。高い透磁率により巻数あたりのインダクタンスが増加し、トロイダルコアなど閉磁路の精密トランスやフィルタで最も効果を発揮します。低い保磁力（Hc 約 32 A/m）によりヒステリシス損失と信号歪みが小さく、低磁束での相対損失係数は 0.1 MHz でわずか 12×10⁻⁶ と精密な信号経路に適しています。一方、周波数の上昇に伴う損失増加は比較的速く（80×10⁻⁶ @1.5 MHz）、使用帯域は DL3 よりやや低め〜中周波側になります。耐熱衝撃性とはんだ耐熱性に優れ、リフローはんだ付けの急激な温度変化に耐えます。主な用途は、高精度広帯域トランス、センシングコイル、EMI フィルタ、インピーダンス調整コイルで、特に感度が重視される SMD 設計に適しています。低電流の高周波パワーインダクタなど、信号／電源混載モジュールにも使用できます。DL シリーズの中で DL4 は感度重視のグレードで、DL3（μi 約 350）に比べ公称透磁率が約 7 割高く、帯域はやや狭くなります。高い飽和磁束密度と耐熱性が必要な場合は DL5／DL6 を選定してください。