ME03 為 MnZn 體系的 EMI 抑制鐵氧體材料，初始磁導率（μi）約 350，飽和磁通密度（Bs）約 400 mT（25 ℃）／350 mT（100 ℃），居里溫度高於 260 ℃。此材料以較低的磁導率，換取較高的飽和磁通密度、居里溫度與 30 MHz 以上的寬頻損耗特性——標準化阻抗 ZN（標稱值）於 30／100／300 MHz 分別約 25／55／115 Ω/mm，於該頻段呈電阻主導，可將高頻共模噪聲轉為熱耗散而非儲存於磁路中。與同頻段的 NiZn 抑制材料相比，ME03 的飽和磁通密度明顯較高，在導線帶有直流或工作電流時阻抗衰減較小；居里溫度高於 260 ℃，亦有利於高溫環境下的特性穩定。典型應用為 EMI 磁珠、EMI 磁環與共模扼流圈，用於高速數據傳輸接口、電源輸入端與車用線束的傳導噪聲抑制。電阻率約 10⁴ Ω·m，屬中高電阻率，繞線時仍建議使用絕緣導線或表面塗覆磁芯。本材料屬 MnZn 體系，之所以收錄於本冊，是因為它可在上述抑制應用中直接替代 NiZn ；完整 MnZn 材料系列另見《錳鋅鐵氧體目錄書》。