T10 為極高磁導率低殘磁錳鋅鐵氧體，初始磁導率（μi）10000，飽和磁通密度（Bs）420 mT（25 ℃）／240 mT（100 ℃），居里溫度高於 140 ℃。殘留磁通密度（Br）70 mT（25 ℃）／60 mT（100 ℃）為系列內最低，矯頑力（Hc）8 → 6 A/m：直流暫態或開關突波後磁芯幾乎不殘留磁化，電流互感器之比差與相位差不因此偏移；100 kHz 相對損耗因子低於 15×10⁻⁶，磁滯常數 ηB 0.4×10⁻⁶/mT，共模扼流圈於相同體積下可獲得接近 T12 之阻抗。相較於 T12，居里溫度由 110 ℃ 提高至 140 ℃，100 ℃ 之 Bs 由 210 mT 提高至 240 mT，工作溫度上限較寬。典型應用為精密電流互感器與漏電保護互感器、電源輸入端共模扼流圈、寬頻信號變壓器。於高磁導率系列中，T10 為 T12 之耐溫低殘磁版本：以 μi 上限為優先且環境溫度溫和者採 T12（μi 12000）；溫度特性優先者採 T07；需熱態 Bs 者採 T05。μi 公差 ±30 %，對電感量精度要求高時以匝數或氣隙微調。