ME03 为 MnZn 体系的 EMI 抑制铁氧体材料，初始磁导率（μi）约 350，饱和磁通密度（Bs）约 400 mT（25 ℃）／350 mT（100 ℃），居里温度高于 260 ℃。此材料以较低的磁导率，换取较高的饱和磁通密度、居里温度与 30 MHz 以上的宽频损耗特性——标准化阻抗 ZN（标称值）于 30／100／300 MHz 分别约 25／55／115 Ω/mm，于该频段呈电阻主导，可将高频共模噪声转为热耗散而非储存于磁路中。与同频段的 NiZn 抑制材料相比，ME03 的饱和磁通密度明显较高，在导线带有直流或工作电流时阻抗衰减较小；居里温度高于 260 ℃，亦有利于高温环境下的特性稳定。典型应用为 EMI 磁珠、EMI 磁环与共模扼流圈，用于高速数据传输接口、电源输入端与车用线束的传导噪声抑制。电阻率约 10⁴ Ω·m，属中高电阻率，绕线时仍建议使用绝缘导线或表面涂覆磁芯。本材料属 MnZn 体系，之所以收录于本册，是因为它可在上述抑制应用中直接替代 NiZn ；完整 MnZn 材料系列另见《锰锌铁氧体目录书》。