MnZn High-Permeability · 材質仕様
T10
極高透磁率低残留磁束材料VERY-HIGH PERMEABILITY LOW-REMANENCE FERRITE
Precision Current TransformerResidual-Current TransformerCommon-Mode ChokeWideband Signal Transformer
T10 は極めて高い透磁率と低い残留磁束を持つマンガン亜鉛系フェライトで、初透磁率(μi)10000、飽和磁束密度(Bs)420 mT(25 ℃)/240 mT(100 ℃)、キュリー温度 140 ℃ 以上です。残留磁束密度(Br)70 mT(25 ℃)/60 mT(100 ℃)はシリーズ内で最も低く、保磁力(Hc)は 8 → 6 A/m です。直流過渡やスイッチングサージの後もコアにほとんど磁化が残らないため、電流トランスの比誤差・位相誤差がそれによってずれることはありません。100 kHz の相対損失係数は 15×10⁻⁶ 未満、材料履歴定数 ηB は 0.4×10⁻⁶/mT で、コモンモードチョークは同一体積で T12 に近いインピーダンスが得られます。T12 に比べてキュリー温度は 110 ℃ から 140 ℃ へ、100 ℃ の Bs は 210 mT から 240 mT へ高まり、動作温度の上限が広がっています。主な用途は、精密電流トランスおよび漏電保護用電流トランス、電源入力部のコモンモードチョーク、広帯域信号トランスです。高透磁率シリーズの中で T10 は T12 の耐熱・低残留磁束版で、μi の上限を優先し周囲温度が穏やかな場合は T12(μi 12000)、温度特性を優先する場合は T07、高温 Bs が必要な場合は T05 を採用します。μi の公差は ±30 % のため、インダクタンス精度が求められる場合は巻数またはギャップで微調整してください。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 25 ℃ | 100 ℃ | 単位 |
|---|---|---|---|---|
| 初透磁率Initial Permeability μi | 100 kHz & <0.2 mT | 10000±30% | — | — |
| 飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs | 1200 A/m 50 Hz | 420 | 240 | mT |
| 残留磁束密度Remanence Br | 1200 A/m 50 Hz | 70 | 60 | mT |
| 保磁力Coercivity Hc | 1200 A/m 50 Hz | 8 | 6 | A/m |
| 相対損失係数Loss Factor | 100 kHz | <15 | — | 10⁻⁶ |
| 材料履歴定数Hysteresis Constant ηB | 100 kHz 1.5-3.0 mT | 0.4 | — | 10⁻⁶/mT |
| 温度係数Temperature Factor αf | 100kHz <0.2 mT | 1~2 | — | 10⁻⁶ |
| キュリー温度Curie Temperature Tc | 100 kHz & <0.2 mT | >140 | — | ℃ |
| 密度Density D | アルキメデス法 | 5.0 | — | g/cm³ |
| 体積抵抗率Electrical Resistivity ρ | 直流電流 | 0.2 | — | Ω·m |
特性曲線
CURVE 01

CURVE 02

CURVE 03

適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| 広帯域信号トランス/バラン | 第一推奨 | ≤1.5 MHz | — |
| 電流トランス | 第一推奨 | ≤1.5 MHz | — |
| コモンモードチョーク/電源 EMI フィルタ | 第一推奨 | ≤2 MHz | — |
鉄研科技(TAK)

