T10 为极高磁导率低残磁锰锌铁氧体，初始磁导率（μi）10000，饱和磁通密度（Bs）420 mT（25 ℃）／240 mT（100 ℃），居里温度高于 140 ℃。残留磁通密度（Br）70 mT（25 ℃）／60 mT（100 ℃）为系列内最低，矫顽力（Hc）8 → 6 A/m：直流暂态或开关突波后磁芯几乎不残留磁化，电流互感器之比差与相位差不因此偏移；100 kHz 相对损耗因子低于 15×10⁻⁶，磁滞常数 ηB 0.4×10⁻⁶/mT，共模扼流圈于相同体积下可获得接近 T12 之阻抗。相较于 T12，居里温度由 110 ℃ 提高至 140 ℃，100 ℃ 之 Bs 由 210 mT 提高至 240 mT，工作温度上限较宽。典型应用为精密电流互感器与漏电保护互感器、电源输入端共模扼流圈、宽频信号变压器。于高磁导率系列中，T10 为 T12 之耐温低残磁版本：以 μi 上限为优先且环境温度温和者采 T12（μi 12000）；温度特性优先者采 T07；需热态 Bs 者采 T05。μi 公差 ±30 %，对电感量精度要求高时以匝数或气隙微调。