TAK Technology
Soft ferrite · NiZn & MnZn
From formulation to core
Teilweise maschinell übersetzt, noch nicht muttersprachlich geprüft
05 / Cores by circuit
Circuit 01

Kerne nach Schaltung

TTechnologyTechnik
AAssuranceQualitätssicherung
KKeeperVorreiter

Tiefsetzsteller (Buck): Ausgangsdrossel

Buck converter — output inductor

Die Drossel liegt in Reihe am Ausgang: hoher Gleichstrom, kleiner Wechselstromhub; das Design wird von der Sättigung (Gleichstromvormagnetisierung) bestimmt, nicht von den Kernverlusten.

  • LAusgangs-SpeicherdrosselZuerst Bs bei hoher Temperatur und Luftspalt prüfen, dann die Verluste; mehrphasig parallel ergibt VRM/TLVR
CIRCUIT · BUCKVinSLDCRVo

Frequenzband → Werkstoff

FrequenzbandErste WahlAlternativeHinweis
Buck ≦0.1 MHzTM82—Bs 600 mT, mit Luftspalt für Gleichstromvormagnetisierung
Buck 0.1–0.5 MHzTM71—Nach IDC: μi 3800 + hohes Bs
Buck 0.5–0.8 MHzTM59★—
Buck 0.8–3 MHzTM65★TM61TM63
Buck ≦0.3 MHz—TM80TM83★TP44TP45Wenn die Verluste im Vordergrund stehen; hohe Temperatur (Kern bis 140 ℃)
VRM/TLVR ≦0.1 MHzTM82—
VRM/TLVR 0.1–0.5 MHzTM71—
VRM/TLVR 0.5–0.8 MHzTM59★—
VRM/TLVR 0.8–1 MHzTM65★TM61
VRM/TLVR ≦0.3 MHz—TM80TM83★
NiZn——Die Bauteile dieser Seite sind überwiegend MnZn; keine TAK-NiZn-Entsprechung aufgeführt; kleine Induktivitäten im mA-Bereich siehe Schaltung 11

Empfohlene Kernformen

3D · schematischUDSerie wählen ▾
Vorteile
  • Stehende Montage, geringer Platzbedarf auf der Leiterplatte
  • Für Hochstrom-Induktivitäten mit einer Windung oder Kupferclip-Wicklung
  • Belastbar bei Gleichstromvormagnetisierung; Schaltfrequenzen ab 0.7 MHz
Nachteile
  • Größere Bauhöhe
  • Vorwiegend für Hochstrom-VRM/TLVR
3D · schematischU+ISerie wählen ▾
Vorteile
  • Liegende U+I-Kombination, niedrige Bauhöhe
  • Für Hochstrom-Induktivitäten mit einer Windung oder Kupferclip-Wicklung
  • Belastbar bei Gleichstromvormagnetisierung; Schaltfrequenzen ab 0.7 MHz
Nachteile
  • Größerer Platzbedarf auf der Leiterplatte
  • Zweiteilige Kombination; AL-Konstanz muss beherrscht werden
3D · schematischSP+ISerie wählen ▾
Vorteile
  • Hervorragende Abschirmung, geringer Streufluss
  • Einfache Leiterplattenmontage, einfaches Wickeln
  • Mit I/R/DR zu streuflussarmen SMD-Induktivitäten kombinierbar
Nachteile
  • Schwächere Wärmeabfuhr
  • Zweiteilige Kombination
3D · schematischDR (NiZn, mA-Bereich)Serie wählen ▾
Vorteile
  • Offener Magnetkreis, belastbar bei Gleichstromvormagnetisierung
  • Einfachstes Wickeln
  • Mit SP/SRI-Abschirmkappe kombinierbar, um den Streufluss zu senken
Nachteile
  • Allein verwendet hoher Streufluss; EMV beachten
  • Induktivität durch den offenen Magnetkreis begrenzt

Einsatzorte

KI-Rechenzentrum

VRM, TLVR für GPU/CPU; PoL auf der Platine

Elektrofahrzeuge (NEV)

Versorgung von ECU-/ADAS-Prozessoren

Konsumgüter und Industrie

Abwärtswandler auf Mainboards, Netzwerk- und Industriesteuerplatinen

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