鐵研科技
Soft ferrite · NiZn & MnZn
From formulation to core
TAK / Company profile 2027
06 / Catalogue

依應用選材

TTechnology技術
AAssurance品質保證
KKeeper領先者

從應用出發,直抵首選材料——功率轉換、功率電感、信號與低頻、EMI 抑制四組,共 14 種應用。

依應用查首選材料

首選材料依 TAK 材料選用規則整理。

電感依 IDC、變壓器依頻段與溫度選材,見下表。

應用頻段MnZnNiZn
開關電源變壓器(反激/正激)功率轉換TM80TM81TM83★TM59★TP44TP45TP40TM50ATM65★TM61—
LLC/諧振與橋式變壓器功率轉換TM83★TM80TM81TM59★TM63TP40TP44TP45TM50ATM65★TM61—
小尺寸 MHz 級變壓器(1–5 MHz)功率轉換TM63TM65★TM61—
小功率高頻變壓器(低磁通)功率轉換TM63Q1C1M61HM9A
寬溫/高溫電源變壓器(磁芯溫度至 140℃)功率轉換TM80TM81TM83★—
PFC 扼流圈與大電流儲能電感功率電感TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
VRM/TLVR/PoL 高頻電感功率電感TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
低頻電感/鎮流器功率電感T2T2MTB2—
脈衝與閘極驅動變壓器信號與低頻TM71T05TM63—
寬頻信號變壓器/balun信號與低頻T05T10TM63E02T12TM61TM65★DL3DL4Q1C1M63M61M9AV2F1M61HM5E1V4F1
電流互感器信號與低頻T10T07T05T06E02T2TM63—
共模扼流圈/電源 EMI 濾波EMI 抑制T10T12T05E02L43L8AL6AL22AL28ASL50SL80G5AG5B
EMI 抑制磁珠/磁環/套管EMI 抑制ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1
天線棒/RFID/高 Q 電感EMI 抑制—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
天線棒/RFID/高 Q 電感NiZn 專屬與跨體系場景—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
SMD 高頻低功率電感(mA 級)NiZn 專屬與跨體系場景—DL3DL4DL5DL5HDL6G5AG5B
溫度穩定型濾波/調諧電感NiZn 專屬與跨體系場景—SL50SL80M61
小功率高頻變壓器(低磁通)NiZn 專屬與跨體系場景TM63Q1C1M61HM9A
NiZn EMI 抑制NiZn 專屬與跨體系場景ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1
低 μ 調諧/高頻諧振NiZn 專屬與跨體系場景—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
經濟型電感/EMI(鎂系:Ni-Mg-Zn/Mg-Zn)NiZn 專屬與跨體系場景—MGB1MG2MF1MF2MF3
開關電源變壓器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM80TM81TM83★TM59★TP44TP45TP40TM50ATM65★TM61—
LLC/諧振與橋式變壓器(含諧振電感)MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM83★TM80TM81TM59★TM63TP40TP44TP45TM50ATM65★TM61—
小尺寸 MHz 級變壓器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM63TM65★TM61—
寬溫/高溫電源變壓器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM80TM81TM83★—
PFC扼流圈/儲能電感MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
VRM/TLVR/PoL 電感MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
脈衝/閘極驅動變壓器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)TM71T05TM63—
寬頻信號變壓器/balunMnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)T05T10TM63E02T12TM61TM65★DL3DL4Q1C1M63M61M9AV2F1M61HM5E1V4F1
電流互感器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)T10T07T05T06E02T2TM63—
低頻電源/鎮流器MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)T2T2MTB2—
共模扼流圈/電源EMI濾波MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)T10T12T05E02L43L8AL6AL22AL28ASL50SL80G5AG5B
EMI抑制磁珠/磁環/套管MnZn 應用場景(對應 MnZn 材料名如下)ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1

DB 2026-10-22

4組
應用分類
14種
應用

括號為建議頻段。首選並非唯一,替代材料與鎳鋅對應見各電路頁與材質頁。★=2027 新材料。變壓器用料最佳工作溫度區間(℃):TP40 60–100、TP44 80–100、TP45 60–80、TM80 25–100、TM81 25–120、TM83★ 25–140、TM50A 65–100、TM59★ 25–100、TM61 40–80、TM63 40–80、TM65★ 40–80。

功率材料比較:固定磁通、溫度與損耗門檻

在同一磁通(50 mT)與同一溫度(100 °C)下,比較各材料損耗達到 300 kW/m³ 時的頻率:越往右,越適合高頻;縱軸為飽和磁通密度 Bs,越往上,越不易飽和。

右側是高頻群——TM63、TM65★、TM61、TM59★;左上是高 Bs 群——TM82、TM71;TM80、TM81、TM83★ 代表寬溫。選材,便是在高頻與抗飽和之間尋找平衡。

FIG · POWER-FERRITE MAP ⤢FIG · POWER-FERRITE MAP
判讀方式
位置愈右,表示於同一損耗門檻下之可用頻率愈高;位置愈上,表示直流偏磁裕度愈大;線段愈長,表示 Bs 隨溫度之衰減愈大。高頻 DC-DC(VRM/TLVR)應用要求門檻頻率高且 100 ℃ 端點之 Bs 充足;PFC 與主變壓器應用則以 Bs 及低頻損耗為優先。
六分類之對應
由左至右依序為六分類之頻段:低頻高 Bs(約 0.1 MHz)→ 標準頻段(TP 系三種與寬溫三種,門檻 0.5–1 MHz)→ 中頻 TM50A/TM59★ → MHz 級 TM61/TM65★ → 超高頻 TM63(2 MHz);高 Bs 特殊之 TM71/TM82 以 Bs 見長,門檻頻率不高。★ 為《VRM/TLVR 選型手冊》之建議材料。
不予外推
標“≥”者其門檻已超出該材料損耗模型之擬合頻段,本圖一律截於擬合上限而不外推,實際能力可能更高;虛線者無 50 mT 損耗數據,依分類頻段定位,其能力以 IDC 比對評估。

標籤數字=損耗門檻頻率(MHz)。本圖為同一磁通與門檻下的相對比較,不等於應用頻率上限——實際工作磁通低於 50 mT 時,可用頻率更高。「≧」=算出的門檻已超出該材料損耗模型的擬合頻段,本圖不外推,實際可能更高;「≈」=無 50 mT 損耗數據,按材質表頻段定位,其能力以 IDC 比對。TM71 的 0.39 由 300/500 kHz @50 mT 兩個實測點內插。本圖只列伺服器電源相關牌號。Bs 條件 1200 A/m;★=2027 新材料。

2027 新材料規格

四支新材料,各自回應一個應用缺口:TM59★ 為 500 kHz–1 MHz 而生的低損功率材;TM65★ 面向 1 MHz 級 VRM/TLVR 電感;TM83★ 在磁芯溫度 140 ℃ 下仍保有低損耗;ME03★ 讓錳鋅也能投入 30–1000 MHz 的 EMI 抑制。

數據為典型值、環形磁芯測得,實際依形狀尺寸而異。ME03 雖屬 MnZn 體系,目錄同時收錄於 NiZn 冊的 EMI 材料章。

TM59★ 與設計參考採用材料的規格比對

以公開設計參考所採用的材料為座標,並列 TM59★ 的規格:μi 1900、Bs 530/430 mT(25/100 ℃)、Tc >260 ℃;在 1 MHz/50 mT/100 ℃ 下,功率損耗為 250 kW/m³。

各廠量測條件不完全相同,本表僅供初步比較;實際選用,請以相同磁芯與條件實測。

項目條件TAK TM59★DMEGC DMR59Proterial ML27DTDK N49
初始磁導率 μi25 ℃1900130026001500
飽和磁通密度 Bs (mT)25 ℃530510520490
100 ℃430410410400
居里溫度 Tc (℃)>260250240>240
功率損耗 Pcv (kW/m³)300 kHz/100 mT 25 ℃250—220(23 ℃)—
300 kHz/100 mT 100 ℃230—250330
500 kHz/50 mT 100 ℃50——80
500 kHz/100 mT 25 ℃600650——
500 kHz/100 mT 100 ℃550550——
1 MHz/50 mT 100 ℃250——475
採用的設計參考—Infineon 12 kW AI PSU(PQ40 LLC)・8 kW AI PSU(平面 LLC)Infineon 1 kW 48 V→12 V 四分之一磚(EQ25+平板)Renesas 1.2 kW 380 V→12 V(EQ30 平面)

TM59★ 取自 TAK 2027 錳鋅目錄;他廠數值取自各廠材料規格書。Bs 量測磁場:TAK 1200 A/m、DMEGC 1194 A/m、Proterial 1000 A/m、TDK 1200 A/m。500 kHz/100 mT/100 ℃ 一列為平手。第三方名稱為其各自所有者之商標。

錳鋅材料牌號對照

涵蓋功率材料與高導磁材料,對照 15 家廠商。找到現用的牌號,往上即可看到對應的 TAK 牌號;TM59★ 與設計參考材料的規格比對,另見「2027 新材料」。

主要磁芯廠商功率材料牌號對照表

廠商TP40TP44TP45TM80TM81TM83TM50ATM59TM61TM65TM63TM71TM82
TAK鐵研TP40TP44TP45TM80TM81TM83TM50ATM59TM61TM65TM63TM71TM82
TDKPC40PC44PC45PC95—PC47——PC200———PC33
EPCOSN67N87—N95———————N45—
FERROXCUBE3C903C94—3C953C97—3C98—3F45——3B463C92
MagneticsPR—T—————————
Fair-Rite—78—95——97———80——
FDK6H106H406H426H60——7H10—————4H45
HITACHIML24DML25D—ML30D————ML91S—ML93SMT30DMB19D
JFEMB3MB4—MBT2——MBF4—MC2———MB1H
ACME越峰P4P41P48P45P451P47P52—P61—P63N42P491
HuohYow華佑KL40KL44—KL33W———————KM30T—
TDG天通TP4TP4A—TPW33TPG33TP4F——TP5E——TD5BTPB16
DMEGC東磁DMR40DMR44—DMR95DMR96DMR97——DMR51—DMR53DMR71DMR28
東陽光HE4HE44—HE6————HE5E—HE5S——
SAMWHAPL7PL11—PL9———————ST30B—
ISUPM7PM11—PM9———————BM30—

主要磁芯廠商高磁導材料牌號對照表

廠商E02T05T07T10T12
TAK鐵研E02T05T07T10T12
TDKHF60HP5H5B2H5C2H5C4
EPCOSN48T35T37T38T42
FERROXCUBE3N13E273E263E53E6
MagneticsVJ—W—
Fair-Rite3175—76—
FDK2H032H062H072H10—
HITACHI—MQ53DMP70DMP10T—
JFE—MA055MA070MA100MA120
ACME越峰N5A05A07A10A12
HuohYow華佑KM25KM50KM70KM100—
TDG天通TH2TL5TL7TL10TS13
DMEGC東磁DMR70R5KR7KR10KR12K
東陽光—HL5HL7HL10HL12
SAMWHA—SM50SM70SM100—
ISU—HM2AHM3HM5A—

各廠欄位為初步篩選候選,非等效或可直接替換;須以相同磁芯、繞組及工作條件驗證。

各廠牌號為初步篩選候選,非等效或可直接替換;須以相同磁芯、繞組及工作條件驗證。空格=本表未列對照資料,不代表該廠沒有此類材料。第三方名稱為其各自所有者之商標。

鎳鋅材料牌號對照

27 支鎳鋅材料依 TAK 初始磁導率 μi 由低到高排列,分為四組:高頻穩定(低 μi、高 Q)、高磁通耐焊接、EMI 抑制/低溫度係數,以及通用型鎳鎂鋅/鎂鋅。

括號內為該廠標稱 μi;與 TAK 數值相差較大的對應,選用時請格外留意。

鎳鋅牌號對照(依 μi)

TAK 牌號μiBsmTtanδ/μi×10⁻⁶YENGTATHUOHYOWTDKTDGDMEGCACMEFAIR-RITEFERROXCUBELAIRDWÜRTH
V4F110150600T4FT5FGT7———68 (16)———
M5E115170400NE5K2T5N—TN2D—L668 (16)4E1 (15)——
V2F130310160LF3H11YGT5——L367 (40)4E2 (25)——
M9A50340100LFQ6TQ4—TN6DDN5HL467 (40)4D2 (60)——
M61100340100R5KTQ10GT3—DN10HL561 (125)—HF (100)—
M61H10042050L1HF——TN12B——————
M6318036550——————61 (125)4C65 (125)25 (125)—
Q1C125033535LF25HQ1-FGT2———52 (250)4B1 (250)——
DL630044020E4KTB48L11HTN35BDN30BB30————
DL335035015E4DLGB-F———D1C51 (350)———
DL540042015E4ST12SL2HTN41HDN40BA31/B40————
DL5H53040035E5STL70H—TN39HDN50BB60————
DL460035012E5DH7SH———D27————
G5A80040010—TB40L7HTN80LDN80H (800)K08143 (800)4A11 (850)28 (850)3W800 (800)
G5B100039015————DN100H (1000)—————
SL5050035018——L6NTN50DDN50B (500)F52/A5044 (500)———
L4380035020E5HTS80—TN90HDN80HD2843 (800)4A11 (850)28 (850)3W800 (800)
SL8080035015——K10 (800)—DN80H (800)F80————
L6A120032015E6HTL12D—TN120L—K12/D35—4A15 (1200)——
L8A160030015E7H6LSL8FTN150PDN150HK151/D37——38 (1700)—
L22A220027020E10HT25SM13 (2300)TN200BDN200K20/D40——26 (2000)—
L28A280025025——M13 (2300)——K25————
MF118035055G2————H3B————
MG230030080LF21/MGT4N———H4————
MGB135038015E4DST8SH—TN40HDN35H—————
MF335033020LF21LGB-F———H451 (350)———
MF280027025E5——TN80G—M80————

各廠欄位為初步篩選候選,非等效或可直接替換;須以相同磁芯、繞組及工作條件驗證。

μi、Bs 為 TAK 典型值;損耗因子及其量測頻率請見各材質規格頁。各廠牌號為初步篩選候選,非等效或可直接替換;須以相同磁芯、繞組及工作條件驗證。空格=本表未列對照資料,不代表該廠沒有此類材料。第三方名稱為其各自所有者之商標。

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