铁研科技
Soft ferrite · NiZn & MnZn
From formulation to core
TAK / Company profile 2027
06 / Catalogue

依应用选材

TTechnology技术
AAssurance品质保证
KKeeper领先者

从应用出发,直抵首选材料——功率转换、功率电感、信号与低频、EMI 抑制四组,共 14 种应用。

依应用查首选材料

首选材料依 TAK 材料选用规则整理。

电感依 IDC、变压器依频段与温度选材,见下表。

应用频段MnZnNiZn
开关电源变压器(反激/正激)功率转换TM80TM81TM83★TM59★TP44TP45TP40TM50ATM65★TM61—
LLC/谐振与桥式变压器功率转换TM83★TM80TM81TM59★TM63TP40TP44TP45TM50ATM65★TM61—
小尺寸 MHz 级变压器(1–5 MHz)功率转换TM63TM65★TM61—
小功率高频变压器(低磁通)功率转换TM63Q1C1M61HM9A
宽温/高温电源变压器(磁芯温度至 140℃)功率转换TM80TM81TM83★—
PFC 扼流圈与大电流储能电感功率电感TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
VRM/TLVR/PoL 高频电感功率电感TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
低频电感/镇流器功率电感T2T2MTB2—
脉冲与闸极驱动变压器信号与低频TM71T05TM63—
宽频信号变压器/balun信号与低频T05T10TM63E02T12TM61TM65★DL3DL4Q1C1M63M61M9AV2F1M61HM5E1V4F1
电流互感器信号与低频T10T07T05T06E02T2TM63—
共模扼流圈/电源 EMI 滤波EMI 抑制T10T12T05E02L43L8AL6AL22AL28ASL50SL80G5AG5B
EMI 抑制磁珠/磁环/套管EMI 抑制ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1
天线棒/RFID/高 Q 电感EMI 抑制—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
天线棒/RFID/高 Q 电感NiZn 专属与跨体系场景—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
SMD 高频低功率电感(mA 级)NiZn 专属与跨体系场景—DL3DL4DL5DL5HDL6G5AG5B
温度稳定型滤波/调谐电感NiZn 专属与跨体系场景—SL50SL80M61
小功率高频变压器(低磁通)NiZn 专属与跨体系场景TM63Q1C1M61HM9A
NiZn EMI 抑制NiZn 专属与跨体系场景ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1
低 μ 调谐/高频谐振NiZn 专属与跨体系场景—Q1C1M63M61M61HM9AV2F1M5E1V4F1
经济型电感/EMI(镁系:Ni-Mg-Zn/Mg-Zn)NiZn 专属与跨体系场景—MGB1MG2MF1MF2MF3
开关电源变压器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM80TM81TM83★TM59★TP44TP45TP40TM50ATM65★TM61—
LLC/谐振与桥式变压器(含谐振电感)MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM83★TM80TM81TM59★TM63TP40TP44TP45TM50ATM65★TM61—
小尺寸 MHz 级变压器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM63TM65★TM61—
宽温/高温电源变压器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM80TM81TM83★—
PFC扼流圈/储能电感MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
VRM/TLVR/PoL 电感MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM82TM71TM59★TM65★TM80TM83★TM61—
脉冲/闸极驱动变压器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)TM71T05TM63—
宽频信号变压器/balunMnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)T05T10TM63E02T12TM61TM65★DL3DL4Q1C1M63M61M9AV2F1M61HM5E1V4F1
电流互感器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)T10T07T05T06E02T2TM63—
低频电源/镇流器MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)T2T2MTB2—
共模扼流圈/电源EMI滤波MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)T10T12T05E02L43L8AL6AL22AL28ASL50SL80G5AG5B
EMI抑制磁珠/磁环/套管MnZn 应用场景(对应 MnZn 材料名如下)ME03★L43L8ASL50SL80L6AL22AL28AG5AG5BM61M63Q1C1

DB 2026-10-22

4组
应用分类
14种
应用

括号为建议频段。首选并非唯一,替代材料与镍锌对应见各电路页与材质页。★=2027 新材料。变压器用料最佳工作温度区间(℃):TP40 60–100、TP44 80–100、TP45 60–80、TM80 25–100、TM81 25–120、TM83★ 25–140、TM50A 65–100、TM59★ 25–100、TM61 40–80、TM63 40–80、TM65★ 40–80。

功率材料比较:固定磁通、温度与损耗门槛

在同一磁通(50 mT)与同一温度(100 °C)下,比较各材料损耗达到 300 kW/m³ 时的频率:越往右,越适合高频;纵轴为饱和磁通密度 Bs,越往上,越不易饱和。

右侧是高频群——TM63、TM65★、TM61、TM59★;左上是高 Bs 群——TM82、TM71;TM80、TM81、TM83★ 代表宽温。选材,便是在高频与抗饱和之间寻找平衡。

FIG · POWER-FERRITE MAP ⤢FIG · POWER-FERRITE MAP
判读方式
位置愈右,表示于同一损耗门槛下之可用频率愈高;位置愈上,表示直流偏磁裕度愈大;线段愈长,表示 Bs 随温度之衰减愈大。高频 DC-DC(VRM/TLVR)应用要求门槛频率高且 100 ℃ 端点之 Bs 充足;PFC 与主变压器应用则以 Bs 及低频损耗为优先。
六分类之对应
由左至右依序为六分类之频段:低频高 Bs(约 0.1 MHz)→ 标准频段(TP 系三种与宽温三种,门槛 0.5–1 MHz)→ 中频 TM50A/TM59★ → MHz 级 TM61/TM65★ → 超高频 TM63(2 MHz);高 Bs 特殊之 TM71/TM82 以 Bs 见长,门槛频率不高。★ 为《VRM/TLVR 选型手册》之建议材料。
不予外推
标“≥”者其门槛已超出该材料损耗模型之拟合频段,本图一律截于拟合上限而不外推,实际能力可能更高;虚线者无 50 mT 损耗数据,依分类频段定位,其能力以 IDC 比对评估。

标签数字=损耗门槛频率(MHz)。本图为同一磁通与门槛下的相对比较,不等于应用频率上限——实际工作磁通低于 50 mT 时,可用频率更高。「≧」=算出的门槛已超出该材料损耗模型的拟合频段,本图不外推,实际可能更高;「≈」=无 50 mT 损耗数据,按材质表频段定位,其能力以 IDC 比对。TM71 的 0.39 由 300/500 kHz @50 mT 两个实测点内插。本图只列伺服器电源相关牌号。Bs 条件 1200 A/m;★=2027 新材料。

2027 新材料规格

四支新材料,各自回应一个应用缺口:TM59★ 为 500 kHz–1 MHz 而生的低损功率材;TM65★ 面向 1 MHz 级 VRM/TLVR 电感;TM83★ 在磁芯温度 140 ℃ 下仍保有低损耗;ME03★ 让锰锌也能投入 30–1000 MHz 的 EMI 抑制。

数据为典型值、环形磁芯测得,实际依形状尺寸而异。ME03 虽属 MnZn 体系,目录同时收录于 NiZn 册的 EMI 材料章。

TM59★ 与设计参考采用材料的规格比对

以公开设计参考所采用的材料为座标,并列 TM59★ 的规格:μi 1900、Bs 530/430 mT(25/100 ℃)、Tc >260 ℃;在 1 MHz/50 mT/100 ℃ 下,功率损耗为 250 kW/m³。

各厂量测条件不完全相同,本表仅供初步比较;实际选用,请以相同磁芯与条件实测。

项目条件TAK TM59★DMEGC DMR59Proterial ML27DTDK N49
初始磁导率 μi25 ℃1900130026001500
饱和磁通密度 Bs (mT)25 ℃530510520490
100 ℃430410410400
居里温度 Tc (℃)>260250240>240
功率损耗 Pcv (kW/m³)300 kHz/100 mT 25 ℃250—220(23 ℃)—
300 kHz/100 mT 100 ℃230—250330
500 kHz/50 mT 100 ℃50——80
500 kHz/100 mT 25 ℃600650——
500 kHz/100 mT 100 ℃550550——
1 MHz/50 mT 100 ℃250——475
采用的设计参考—Infineon 12 kW AI PSU(PQ40 LLC)・8 kW AI PSU(平面 LLC)Infineon 1 kW 48 V→12 V 四分之一砖(EQ25+平板)Renesas 1.2 kW 380 V→12 V(EQ30 平面)

TM59★ 取自 TAK 2027 锰锌目录;他厂数值取自各厂材料规格书。Bs 量测磁场:TAK 1200 A/m、DMEGC 1194 A/m、Proterial 1000 A/m、TDK 1200 A/m。500 kHz/100 mT/100 ℃ 一列为平手。第三方名称为其各自所有者之商标。

锰锌材料牌号对照

涵盖功率材料与高导磁材料,对照 15 家厂商。找到现用的牌号,往上即可看到对应的 TAK 牌号;TM59★ 与设计参考材料的规格比对,另见「2027 新材料」。

主要磁芯厂商功率材料牌号对照表

厂商TP40TP44TP45TM80TM81TM83TM50ATM59TM61TM65TM63TM71TM82
TAK鐵研TP40TP44TP45TM80TM81TM83TM50ATM59TM61TM65TM63TM71TM82
TDKPC40PC44PC45PC95—PC47——PC200———PC33
EPCOSN67N87—N95———————N45—
FERROXCUBE3C903C94—3C953C97—3C98—3F45——3B463C92
MagneticsPR—T—————————
Fair-Rite—78—95——97———80——
FDK6H106H406H426H60——7H10—————4H45
HITACHIML24DML25D—ML30D————ML91S—ML93SMT30DMB19D
JFEMB3MB4—MBT2——MBF4—MC2———MB1H
ACME越峰P4P41P48P45P451P47P52—P61—P63N42P491
HuohYow华佑KL40KL44—KL33W———————KM30T—
TDG天通TP4TP4A—TPW33TPG33TP4F——TP5E——TD5BTPB16
DMEGC东磁DMR40DMR44—DMR95DMR96DMR97——DMR51—DMR53DMR71DMR28
东阳光HE4HE44—HE6————HE5E—HE5S——
SAMWHAPL7PL11—PL9———————ST30B—
ISUPM7PM11—PM9———————BM30—

主要磁芯厂商高磁导材料牌号对照表

厂商E02T05T07T10T12
TAK鐵研E02T05T07T10T12
TDKHF60HP5H5B2H5C2H5C4
EPCOSN48T35T37T38T42
FERROXCUBE3N13E273E263E53E6
MagneticsVJ—W—
Fair-Rite3175—76—
FDK2H032H062H072H10—
HITACHI—MQ53DMP70DMP10T—
JFE—MA055MA070MA100MA120
ACME越峰N5A05A07A10A12
HuohYow华佑KM25KM50KM70KM100—
TDG天通TH2TL5TL7TL10TS13
DMEGC东磁DMR70R5KR7KR10KR12K
东阳光—HL5HL7HL10HL12
SAMWHA—SM50SM70SM100—
ISU—HM2AHM3HM5A—

各厂栏位为初步筛选候选,非等效或可直接替换;须以相同磁芯、绕组及工作条件验证。

各厂牌号为初步筛选候选,非等效或可直接替换;须以相同磁芯、绕组及工作条件验证。空格=本表未列对照资料,不代表该厂没有此类材料。第三方名称为其各自所有者之商标。

镍锌材料牌号对照

27 支镍锌材料依 TAK 初始磁导率 μi 由低到高排列,分为四组:高频稳定(低 μi、高 Q)、高磁通耐焊接、EMI 抑制/低温度系数,以及通用型镍镁锌/镁锌。

括号内为该厂标称 μi;与 TAK 数值相差较大的对应,选用时请格外留意。

镍锌牌号对照(依 μi)

TAK 牌号μiBsmTtanδ/μi×10⁻⁶YENGTATHUOHYOWTDKTDGDMEGCACMEFAIR-RITEFERROXCUBELAIRDWÜRTH
V4F110150600T4FT5FGT7———68 (16)———
M5E115170400NE5K2T5N—TN2D—L668 (16)4E1 (15)——
V2F130310160LF3H11YGT5——L367 (40)4E2 (25)——
M9A50340100LFQ6TQ4—TN6DDN5HL467 (40)4D2 (60)——
M61100340100R5KTQ10GT3—DN10HL561 (125)—HF (100)—
M61H10042050L1HF——TN12B——————
M6318036550——————61 (125)4C65 (125)25 (125)—
Q1C125033535LF25HQ1-FGT2———52 (250)4B1 (250)——
DL630044020E4KTB48L11HTN35BDN30BB30————
DL335035015E4DLGB-F———D1C51 (350)———
DL540042015E4ST12SL2HTN41HDN40BA31/B40————
DL5H53040035E5STL70H—TN39HDN50BB60————
DL460035012E5DH7SH———D27————
G5A80040010—TB40L7HTN80LDN80H (800)K08143 (800)4A11 (850)28 (850)3W800 (800)
G5B100039015————DN100H (1000)—————
SL5050035018——L6NTN50DDN50B (500)F52/A5044 (500)———
L4380035020E5HTS80—TN90HDN80HD2843 (800)4A11 (850)28 (850)3W800 (800)
SL8080035015——K10 (800)—DN80H (800)F80————
L6A120032015E6HTL12D—TN120L—K12/D35—4A15 (1200)——
L8A160030015E7H6LSL8FTN150PDN150HK151/D37——38 (1700)—
L22A220027020E10HT25SM13 (2300)TN200BDN200K20/D40——26 (2000)—
L28A280025025——M13 (2300)——K25————
MF118035055G2————H3B————
MG230030080LF21/MGT4N———H4————
MGB135038015E4DST8SH—TN40HDN35H—————
MF335033020LF21LGB-F———H451 (350)———
MF280027025E5——TN80G—M80————

各厂栏位为初步筛选候选,非等效或可直接替换;须以相同磁芯、绕组及工作条件验证。

μi、Bs 为 TAK 典型值;损耗因子及其量测频率请见各材质规格页。各厂牌号为初步筛选候选,非等效或可直接替换;须以相同磁芯、绕组及工作条件验证。空格=本表未列对照资料,不代表该厂没有此类材料。第三方名称为其各自所有者之商标。

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