T12 为超高磁导率锰锌铁氧体，初始磁导率（μi）12000，为本目录最高，饱和磁通密度（Bs）400 mT（25 ℃）／210 mT（100 ℃），居里温度高于 110 ℃。极高之 μi 使同一电感量所需匝数最少，共模扼流圈得以在最小体积下获得最高之共模阻抗与最低之直流电阻；100 kHz 相对损耗因子低于 15×10⁻⁶、磁滞常数 ηB 0.5×10⁻⁶/mT，信号路径之失真与插入损耗均低。其限制在于温度范围：居里温度 110 ℃ 与 100 ℃ 时 210 mT 之 Bs，适用于室温至中温、低磁通之信号与滤波场合，不宜承受直流偏磁或大磁通摆幅。典型应用为电源输入端共模扼流圈、宽频与 xDSL／乙太网路信号变压器、EMI 滤波器与低频电流互感器。于高磁导率系列中，需较高使用温度与较低残留磁通者采 T10（μi 10000，Br 60 mT）；需兼顾耐温与 Bs 之通用场合采 T05／T06；T07 则为 μi 与温度稳定性之折衷。