铁研科技
Soft ferrite · NiZn & MnZn
From formulation to core
TAK / Company profile 2027
06 / Catalogue
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MnZn Power Ferrite · 高频功率材料 · 材质规格

TM61

MHz 级低损耗功率材料MHZ-BAND LOW-LOSS POWER FERRITE

MHz Power Inductor (existing designs)MHz DC-DC ConverterGaN / SiC Resonant TransformerIsolation Transformer

TM61 为 MHz 级低损耗锰锌功率铁氧体,初始磁导率(μi)1000,饱和磁通密度(Bs)540 mT(25 ℃)/440 mT(100 ℃),居里温度高于 260 ℃。1 MHz/50 mT 之 Pcv 为 190 → 155 kW/m³,3 MHz/10 mT 为 100 → 90 kW/m³,两点均呈负温度系数;100 ℃ 之残留磁通密度(Br)50 mT、矫顽力(Hc)15 A/m。μi 1000 使磁导率之交越频率(μ″=μ′)提高,GaN/SiC 元件以 1–3 MHz 切换时,磁芯损耗不构成效率限制。在 TM65 推出之前,TM61 为 MHz 级功率电感与变压器之共用材料,应用于 MHz DC-DC 之储能与滤波电感、GaN/SiC 谐振与隔离变压器。于高频功率材料之中,TM61 属前一代:新设计之 MHz 级电感建议采用 TM65(μi 1300,100 ℃ 直流偏磁 I@90 % 47.3 A,TM61 为 42.1 A);TM61 持续供应既有设计,1–3 MHz 变压器亦可沿用(1 MHz/50 mT 热态 155 kW/m³)。小尺寸 MHz 级变压器首选 TM63;500 kHz/100 mT 为 550 → 700 kW/m³,700 kHz 以下非其适用范围。

电磁特性 Magnetic Characteristics

特性条件25 ℃100 ℃单位
初始磁导率Initial Permeability μi100 kHz & <0.2 mT1000±25%——
增幅磁导率Amplitude Permeability μa25 kHz/400 mT> 2200> 2000—
饱和磁通密度Saturation Flux Density Bs1200 A/m 50 Hz540440mT
残留磁通密度Remanence Br1200 A/m 50 Hz9050mT
矫顽力Coercivity Hc1200 A/m 50 Hz2015A/m
相对损耗因子Loss Factor100 kHz<5<1010⁻⁶
居里温度Curie Temperature Tc100 kHz & <0.2 mT>260—℃
密度Density D阿基米德法 Archimedes method4.85—g/cm³
电阻率Electrical Resistivity ρ直流电流 DC Current10—Ω·m

功率损耗 Pcv Power Loss · kW/m³

测试条件25 ℃100 ℃
500 kHz/100 mT550700
1 MHz/50 mT190155
3 MHz/10 mT10090

Steinmetz 系数 Pcv = K·f^α·B^β

频段Kαβ
100 ≤5001.15E-081.297953.63096
100 ≤10005.21E-091.352373.7374
100 ≤30005.60E-061.655111.57087

特性曲线

CURVE 01curve
CURVE 02curve
CURVE 03curve
CURVE 04curve
CURVE 05curve
CURVE 06curve

适用应用

应用角色频段温度
反激变压器(>150 W)替代1–3 MHz40–80 ℃
LLC/谐振与桥式变压器(含谐振电感)替代1–3 MHz40–80 ℃
小尺寸 MHz 级变压器(1–5 MHz)替代1–3 MHz40–80 ℃
降压 Buck 输出电感替代0.8–3 MHz—
升压 Boost 输入电感替代0.8–3 MHz—
PFC 扼流圈与大电流储能电感替代0.8–3 MHz—
正激/推挽输出电感替代0.8–3 MHz—
VRM/TLVR/PoL 电感替代0.8–1 MHz—
宽频信号变压器/balun替代1–3 MHz—

出现在哪些电路

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