G5B 为镍锌铁氧体材料，初始磁导率（μi）约 1000，饱和磁通密度（Bs）约 390 mT（25 ℃）／300 mT（100 ℃），居里温度高于 180 ℃。本材料在保持 G5 家族高饱和磁通的前提下，把标称磁导率再提高两成五：共模滤波可用更少匝数取得同等阻抗，功率电感的储能与感量密度亦更高；矫顽力仅 25 A/m，磁滞损低，损耗因子 15×10⁻⁶（0.1 MHz）／45×10⁻⁶（1.0 MHz）。典型应用为电源模块、电流补偿电感、共模与差模滤波器，车用领域同样适用于 ADAS 与电机驱动的 EMC 防护。与 G5A（μi 约 800、Bs 约 400 mT、Tc >190 ℃）的取舍：两者 Bs 与耐温同级，G5B 的优势在阻抗与感量密度，G5A 在 1 MHz 端的损耗略低（30 对 45×10⁻⁶）——高频端占比高的设计选 G5A，其余多数共模／功率场合 G5B 通用性更高。