TB2 为高矩形比锰锌功率铁氧体，初始磁导率（μi）1500，饱和磁通密度（Bs）580 mT（25 ℃）／460 mT（100 ℃），居里温度高于 220 ℃。其特征为残留磁通密度（Br）420 mT（25 ℃）／330 mT（100 ℃），矩形比 Br/Bs 约 0.72，磁滞回线接近矩形：磁芯于两饱和态之间切换明确，激磁移除后保有大部分磁通，此即磁放大器与饱和电抗器之工作原理。相应之代价为 30 A/m（25 ℃）／25 A/m（100 ℃）之矫顽力（Hc）与较高之损耗（25 kHz／200 mT：310 → 430 kW/m³；100 kHz／100 mT：440 → 760 kW/m³）。典型应用为磁放大器稳压、饱和电抗器、电子镇流器之触发磁芯与开关扼流圈。于传统低频功率材料三种之中，TB2 为唯一以矩形比为选用依据者：一般变压器与扼流圈之低损耗需求由 T2／T2M 承担；更高 Bs 与耐偏磁需求则参见高 Bs 特殊功率材料 TM82。本材料适用于需要开关式磁化行为之电路，不建议用于线性变压器。