T2M 为低频高饱和锰锌功率铁氧体，初始磁导率（μi）2000，饱和磁通密度（Bs）510 mT（25 ℃）／410 mT（100 ℃），居里温度高于 220 ℃。相较于 T2，其 100 ℃ Bs 高 20 mT（410 对 390 mT，保持率 80 % 对 76 %），Bs 随温度之衰减较缓；矫顽力（Hc）于 25 ℃ 与 100 ℃ 均为 10 A/m，磁滞特性不随温度漂移；损耗略高于 T2（25 kHz／200 mT：270 → 330 kW/m³；100 kHz／100 mT：360 → 520 kW/m³），仍属低频功率材料之一般水准。典型应用为 100 kHz 以下、磁芯温度偏高之电子镇流器、低频电源变压器与储能扼流圈。于传统低频功率材料三种之中，T2M 为耐温取向之材料：以损耗为优先且磁芯温度不高者采 T2；需方形磁滞回线与 460 mT 热态 Bs 者采 TB2；需 500 mT 热态 Bs 与直流偏磁承受能力者采高 Bs 特殊功率材料 TM82。选用时应以热态饱和裕度而非常温 μi 为判断依据——其 μi 低于 T2，优势在于热态 Bs。