铁研科技
应用场景：AI 资料中心，从机柜到 GPU
沿著电力路径由机柜走向 GPU：交流电进入机柜时的共模扼流、电源供应器中的 LLC 隔离变压器与谐振电感，再到 GPU 板上的 TLVR 多相耦合电感。
AI 伺服器的频率持续上升、电流持续加大——这正是 TM59★ 与 TM65★ 两支新材料的定位。
新架构
共模电感：EMI 滤波
Common-mode choke — EMI filtering
两绕组同向绕于同一磁芯：共模磁通相加呈高阻抗，差模工作电流的磁通相互抵消。以阻抗－频率选材。
- L1／L2共模扼流圈选「需要抑制频段」的阻抗峰，而非电感值
频段 → 材料
| 频段 | 首选 | 替代 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ≦2 MHz | T10T12 | T05 | Tc >110 ℃、100 ℃ Bs 210 mT，高温环境留余裕 |
| ≦30 MHz | — | E02 | 2–30 MHz 重叠段 |
| 镍锌 2–30 MHz | L22AL28ASL50SL80 | G5AG5B | |
| 镍锌 2–300 MHz | L43L8AL6A | — | 2–30 MHz 与 MnZn 重叠；RH5 Z 实测至 300 MHz 仍上升 |
2–30 MHz 为锰锌／镍锌重叠段：低频 Z 先达标，高频 Z 尽量高。磁珠与套管见最后一页「EMI 频段总览」。
建议外形
3D · 示意环形 T选择系列 ▾
优点
- 磁路闭合无接缝、无气隙，磁效率最高
- 自屏蔽好，漏磁小
- 磁芯成本最低，不需骨架
缺点
- 需穿孔绕线，绕线成本高
- 上板固定较不便
- 无气隙，储能电感需改用可研磨气隙的组合形状
3D · 示意UU／UT选择系列 ▾
优点
- 窗口大，易绕大线径
- 利于高压绝缘与大功率
缺点
- 线圈外露、屏蔽弱
- 体积较大，多用于 PFC／高压／大功率
3D · 示意RH 磁珠选择系列 ▾
优点
- 直接套在导线或引脚上，不需骨架，安装最简单
- 用于线缆／引脚 EMI 抑制
缺点
- 以穿线使用为主，不作绕线电感
- 抑制频段取决于材料，须依频段选材
3D · 示意DR＋平板选择系列 ▾
优点
- 开放磁路，耐直流偏置
- 绕线最简单
- 可与 SP／SRI 磁罩配套，降低漏磁
缺点
- 单独使用漏磁大，需注意 EMI
- 电感量受开放磁路限制
用在哪里
每台电源的 AC 输入滤波
车载 CAN／乙太网、高压线束 EMI
电源输入、USB／资料线
半桥 LLC：主变压器＋谐振电感
Half-bridge LLC — transformer & resonant inductor
Lr–Cr–Lm 谐振让开关零电压切换；变压器以气隙控制 Lm，Lr 常以漏感整合。选材先看工作频率。
- Np／NsLLC 主变压器（含 Lm 气隙）最严苛点在最低工作频率
- Lr谐振电感与主变压器同频段，材料同一频段选
频段 → 材料
| 频段 | 首选 | 替代 | 说明 |
|---|---|---|---|
| ≦0.3 MHz | TM83★TM80TM81 | TP40TP44TP45 | |
| 0.3–1 MHz | TM59★ | TM50ATM65★ | 超过 300 kHz 才用 |
| 1–5 MHz | TM63 | TM61 | 小尺寸 MHz 级变压器首选（损耗最低） |
| 镍锌 | — | — | 本指南未列 TAK NiZn 对应：主流方案为 MnZn；TAK 无 4F1 级 NiZn 功率料 |
变压器 ≦0.3 MHz 首选 TM8x、依最佳工作温度区间选（TP 为替代）；>0.3 MHz 优先 TM5x。
最佳工作温度（℃）：TM83★ 25–140、TM80 25–100、TM81 25–120、TM59★ 25–100、TM63 40–80。
建议外形
3D · 示意EE／ETD选择系列 ▾
优点
- 骨架绕线与组装最简便
- 散热最好
- 磁芯成本低
缺点
- 自屏蔽弱，漏磁较大
- 需骨架；低高度需求改用 EFD
用在哪里
伺服器 PSU DC/DC 级；机柜 800 V→50 V
OBC（CLLC）、高压转 12 V
充电桩模组、通讯电源、TV 电源
降压 Buck：输出电感
Buck converter — output inductor
电感串在输出侧：直流大、交流摆幅小，设计由饱和（直流偏磁）主导，不是磁芯损耗。
- L输出储能电感先看高温 Bs 与气隙，再看损耗；多相并联即 VRM／TLVR
频段 → 材料
| 频段 | 首选 | 替代 | 说明 |
|---|---|---|---|
| Buck ≦0.1 MHz | TM82 | — | Bs 600 mT，开气隙承受偏磁 |
| Buck 0.1–0.5 MHz | TM71 | — | 看 IDC：μi 3800＋高 Bs |
| Buck 0.5–0.8 MHz | TM59★ | — | |
| Buck 0.8–3 MHz | TM65★ | TM61TM63 | |
| Buck ≦0.3 MHz | — | TM80TM83★TP44TP45 | 重视损耗时；高温（磁芯至 140 ℃） |
| VRM／TLVR ≦0.1 MHz | TM82 | — | |
| VRM／TLVR 0.1–0.5 MHz | TM71 | — | |
| VRM／TLVR 0.5–0.8 MHz | TM59★ | — | |
| VRM／TLVR 0.8–1 MHz | TM65★ | TM61 | |
| VRM／TLVR ≦0.3 MHz | — | TM80TM83★ | |
| 镍锌 | — | — | 本页元件以 MnZn 为主，未列 TAK NiZn 对应；mA 级小电感见电路 11 |
建议外形
3D · 示意UD选择系列 ▾
优点
- 立式贴装，占板面积小
- 适合单匝或铜片绕组的大电流电感
- 耐直流偏磁，0.7 MHz 以上开关频率
缺点
- 高度较高
- 以 VRM／TLVR 大电流用途为主
3D · 示意U＋I选择系列 ▾
优点
- 卧式 U＋I 组合，高度低
- 适合单匝或铜片绕组的大电流电感
- 耐直流偏磁，0.7 MHz 以上开关频率
缺点
- 占板面积较大
- 两件组合，需控制 AL 一致性
3D · 示意SP＋I选择系列 ▾
优点
- 屏蔽极佳，漏磁低
- 上板容易，绕线容易
- 与 I／R／DR 组合成低漏磁贴装电感
缺点
- 散热较弱
- 两件组合
3D · 示意DR（镍锌 mA 级）选择系列 ▾
优点
- 开放磁路，耐直流偏置
- 绕线最简单
- 可与 SP／SRI 磁罩配套，降低漏磁
缺点
- 单独使用漏磁大，需注意 EMI
- 电感量受开放磁路限制
用在哪里
GPU／CPU 的 VRM、TLVR；板上 PoL
ECU／ADAS 处理器供电
主机板、网通、工控板上降压
★＝2027 新材料。设备为通用示意，不代表已供应图中终端；材料为选材候选，须依实际条件验证。
