TM61 は MHz 級低損失のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）1000、飽和磁束密度（Bs）540 mT（25 ℃）／440 mT（100 ℃）、キュリー温度 260 ℃ 以上です。1 MHz／50 mT の Pcv は 190 → 155 kW/m³、3 MHz／10 mT は 100 → 90 kW/m³ で、いずれも負の温度係数を示します。100 ℃ の残留磁束密度（Br）は 50 mT、保磁力（Hc）は 15 A/m です。μi 1000 により透磁率のクロスオーバー周波数（μ″＝μ′）が高まり、GaN／SiC デバイスで 1–3 MHz のスイッチングを行ってもコアロスが効率の制約になりません。TM65 の登場以前、TM61 は MHz 級パワーインダクタとトランスの共通材料として、MHz DC-DC のエネルギー蓄積用およびフィルタ用インダクタ、GaN／SiC 共振トランスおよび絶縁トランスに使用されてきました。高周波パワー材料の中で TM61 は前世代の材料です。新規設計の MHz 級インダクタには TM65（μi 1300、100 ℃ 直流重畳 I@90 % 47.3 A、TM61 は 42.1 A）を推奨し、TM61 は既存設計向けに供給を継続します。1–3 MHz のトランスにも引き続き使用できます（1 MHz／50 mT 高温時 155 kW/m³）。小型の MHz 級トランスには TM63 が第一候補です。500 kHz／100 mT では 550 → 700 kW/m³ となり、700 kHz 以下は適用範囲外です。