鉄研科技(TAK)
Soft ferrite · NiZn & MnZn
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一部は機械翻訳で、ネイティブによる校正前です
06 / Catalogue
Materials

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NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様

G5B

高透磁率・高磁束 EMI 材料HIGH PERM. & HIGH FLUX & EMI MATERIALS

Common-Mode ChokeCurrent-Compensated InductorPower InductorEMI FilterADAS / Motor-Drive EMC

G5B はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率(μi)約 1000、飽和磁束密度(Bs)約 390 mT(25 ℃)/300 mT(100 ℃)、キュリー温度 180 ℃ 以上です。G5 系列の高い飽和磁束密度を維持したまま公称透磁率をさらに 25 % 高めた材料で、コモンモードフィルタでは少ない巻数で同等のインピーダンスが得られ、パワーインダクタではエネルギー蓄積量とインダクタンス密度が向上します。保磁力はわずか 25 A/m でヒステリシス損失が低く、損失係数は 15×10⁻⁶(0.1 MHz)/45×10⁻⁶(1.0 MHz)です。主な用途は、電源モジュール、電流補償型インダクタ、コモンモード/ディファレンシャルモードフィルタで、車載分野でも ADAS やモータ駆動の EMC 対策に同様に適用できます。G5A(μi 約 800、Bs 約 400 mT、Tc >190 ℃)との使い分けでは、Bs と耐熱性は同等で、G5B はインピーダンスとインダクタンス密度に優れ、G5A は 1 MHz 側の損失がやや低くなります(30 対 45×10⁻⁶)。高周波側の比重が大きい設計には G5A を、その他多くのコモンモード/電力用途には汎用性の高い G5B を選定してください。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性条件値単位
初透磁率 μiInitial Permeability100 kHz & <0.2 mT1000±25%—
飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density3000 A/m · 25 ℃100 Hz390mT
飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density3000 A/m · 100 ℃100 Hz300mT
残留磁束密度 BrRemanence3000 A/m · 25 ℃100 Hz235mT
残留磁束密度 BrRemanence3000 A/m · 100 ℃100 Hz150mT
保磁力 HcCoercivity3000 A/m · 25 ℃100 Hz25A/m
保磁力 HcCoercivity3000 A/m · 100 ℃100 Hz20A/m
αμr(透磁率の温度係数)Temperature coefficient of permeability20~60 ℃8×10⁻⁶/K
相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor0.1 MHz & <0.2 mT15×10⁻⁶
相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor1.0 MHz & <0.2 mT45×10⁻⁶
キュリー温度 TcCurie Temp.100 kHz & <0.2 mT>180℃
密度 DDensityアルキメデス法5.1g/cm³
体積抵抗率 ρVolume Resistivity直流電流10⁷Ω·m
コアロス PcvPower Loss100 kHz/100 mT|500 kHz/30 mT|1 MHz/30 mT · 25 °C460|264|832kW/m³

特性曲線

CURVE 01 · 初透磁率-温度特性Initial Permeability vs. Temperature
CURVE 02 · 複素透磁率-周波数特性Complex Permeability (μ′, μ″) vs. Frequency
CURVE 03 · 静的磁化曲線Static Magnetization Curves (B–H)
CURVE 04 · 相対損失係数-周波数特性Relative Loss Factor (tanδ/μi) vs. Frequency
CURVE 05 · 正規化インピーダンス-周波数特性(Φ0.5 mm エナメル線 100 mm・1 ターン測定)Normalized Impedance ZN vs. Frequency (single turn of Φ0.5 mm wire, 100 mm long)

適用用途

用途区分周波数帯温度
SMD 高周波小電力インダクタ(mA 級)第一推奨≤2.5 MHz—
コモンモードチョーク/電源 EMI フィルタ代替2–30 MHz—
EMI 抑制ビーズ/リング/スリーブ代替2–100 MHz—

使用される回路

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