MGB1
NiMgZn-WerkstoffeNI-MG-ZN MATERIALS
MGB1 ist ein NiMgZn-Ferrit mit einer Anfangspermeabilität (μi) von ca. 350, einer Sättigungsmagnetisierung (Bs) von ca. 380 mT bei 25 °C (320 mT bei 100 °C) und einer Curietemperatur über 200 °C. Die Rezeptur, in der Magnesium einen Teil des Nickels ersetzt, senkt die Werkstoffkosten und erhält dennoch ein recht vollständiges Eigenschaftsprofil: Bs 380 mT, Tc über 200 °C, Verlustfaktor bei geringem Fluss 15×10⁻⁶ (0.1 MHz) / 35×10⁻⁶ (2.0 MHz) auf dem Niveau allgemeiner reiner NiZn-Werkstoffe; MGB1 bildet die Leistungsobergrenze der NiMgZn-Gruppe. Typische Anwendungen sind breitbandige EMV-Entstörung, Ferritperlen für Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen und Filterinduktivitäten für mittlere bis hohe Frequenzen sowie kostensensible Serienanwendungen wie allgemeine Drosseln (Chokes) und RFID-Antennen. Gegenüber DL3 mit derselben nominellen μi von 350 ist MGB1 auf Kosteneffizienz ausgerichtet (DL3 steht für Thermoschockbeständigkeit und Zuverlässigkeit beim SMD-Reflow-Löten); innerhalb der NiMgZn/MgZn-Gruppe sind MG2 oder die MF-Reihe noch günstiger, jedoch mit Abstrichen bei Verlusten und Temperaturverhalten.
Magnetische Eigenschaften Magnetic Characteristics
| Eigenschaft | Bedingung | Wert | Einheit |
|---|---|---|---|
| Anfangspermeabilität μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 350±25% | — |
| Sättigungsmagnetisierung BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 380 | mT |
| Sättigungsmagnetisierung BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 320 | mT |
| Remanenz BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 250 | mT |
| Remanenz BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 180 | mT |
| Koerzitivfeldstärke HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 18 | A/m |
| Koerzitivfeldstärke HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 15 | A/m |
| αμr (Temperaturkoeffizient)Temperature coefficient of permeability | 20~60 ℃ | 25 | ×10⁻⁶/K |
| Bezogener Verlustfaktor tanδ/μiRelative Loss Factor | 0.1 MHz & <0.2 mT | 15 | ×10⁻⁶ |
| Bezogener Verlustfaktor tanδ/μiRelative Loss Factor | 2.0 MHz & <0.2 mT | 35 | ×10⁻⁶ |
| Curietemperatur TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >200 | ℃ |
| Dichte DDensity | Archimedes-Verfahren | 5.1 | g/cm³ |
| Spezifischer Widerstand ρVolume Resistivity | Gleichstrom | 10⁷ | Ω·m |
Kennlinien




Anwendungen
| Anwendung | Rolle | Frequenzband | Temperatur |
|---|---|---|---|
| Kostengünstige Induktivitäten / EMV (Mg-basiert: Ni-Mg-Zn / Mg-Zn) | Erste Wahl | ≤3.5 MHz | — |
TAK Technology

