NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様
MGB1
NiMgZn 材料NI-MG-ZN MATERIALS
Broadband EMI SuppressionData-Line BeadMid/High-Frequency Filter InductorStandard Choke
MGB1 はニッケル・マグネシウム・亜鉛系フェライト材料で、初透磁率(μi)約 350、飽和磁束密度(Bs)約 380 mT(25 ℃)/320 mT(100 ℃)、キュリー温度 200 ℃ 以上です。ニッケルの一部をマグネシウムで置き換えた組成により材料コストを抑えながら、かなり充実した特性を保持しています。Bs は 380 mT、Tc は 200 ℃ 以上、低磁束での損失係数 15×10⁻⁶(0.1 MHz)/35×10⁻⁶(2.0 MHz)はニッケル亜鉛系汎用材と同等で、Ni-Mg-Zn グループの性能上限に位置します。主な用途は、広帯域 EMI 抑制、高速データライン用フェライトビーズ、中〜高周波フィルタ用インダクタで、一般的なチョークや RFID アンテナなど、コストを重視する量産用途にも使用されます。同じ公称 μi 350 の DL3 と比べると、MGB1 はコスト効率を重視した位置づけです(DL3 は耐熱衝撃性と SMD リフローはんだ付けの信頼性が特長)。Ni-Mg-Zn/Mg-Zn グループ内でさらにコストを下げる場合は MG2 や MF シリーズを選べますが、損失と温度特性はそれに応じて劣ります。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 初透磁率 μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 350±25% | — |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 380 | mT |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 320 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 250 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 180 | mT |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 18 | A/m |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 15 | A/m |
| αμr(透磁率の温度係数)Temperature coefficient of permeability | 20~60 ℃ | 25 | ×10⁻⁶/K |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 0.1 MHz & <0.2 mT | 15 | ×10⁻⁶ |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 2.0 MHz & <0.2 mT | 35 | ×10⁻⁶ |
| キュリー温度 TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >200 | ℃ |
| 密度 DDensity | アルキメデス法 | 5.1 | g/cm³ |
| 体積抵抗率 ρVolume Resistivity | 直流電流 | 10⁷ | Ω·m |
特性曲線
CURVE 01 · 初透磁率-温度特性

CURVE 02 · 複素透磁率-周波数特性

CURVE 03 · 静的磁化曲線

CURVE 04 · 相対損失係数-周波数特性

適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| 経済型インダクタ/EMI(Mg 系:Ni-Mg-Zn/Mg-Zn) | 第一推奨 | ≤3.5 MHz | — |
鉄研科技(TAK)

