鉄研科技(TAK)
Soft ferrite · NiZn & MnZn
From formulation to core
一部は機械翻訳で、ネイティブによる校正前です
06 / Catalogue
Materials

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TTechnology技術
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NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様

MGB1

NiMgZn 材料NI-MG-ZN MATERIALS

Broadband EMI SuppressionData-Line BeadMid/High-Frequency Filter InductorStandard Choke

MGB1 はニッケル・マグネシウム・亜鉛系フェライト材料で、初透磁率(μi)約 350、飽和磁束密度(Bs)約 380 mT(25 ℃)/320 mT(100 ℃)、キュリー温度 200 ℃ 以上です。ニッケルの一部をマグネシウムで置き換えた組成により材料コストを抑えながら、かなり充実した特性を保持しています。Bs は 380 mT、Tc は 200 ℃ 以上、低磁束での損失係数 15×10⁻⁶(0.1 MHz)/35×10⁻⁶(2.0 MHz)はニッケル亜鉛系汎用材と同等で、Ni-Mg-Zn グループの性能上限に位置します。主な用途は、広帯域 EMI 抑制、高速データライン用フェライトビーズ、中〜高周波フィルタ用インダクタで、一般的なチョークや RFID アンテナなど、コストを重視する量産用途にも使用されます。同じ公称 μi 350 の DL3 と比べると、MGB1 はコスト効率を重視した位置づけです(DL3 は耐熱衝撃性と SMD リフローはんだ付けの信頼性が特長)。Ni-Mg-Zn/Mg-Zn グループ内でさらにコストを下げる場合は MG2 や MF シリーズを選べますが、損失と温度特性はそれに応じて劣ります。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性条件値単位
初透磁率 μiInitial Permeability100 kHz & <0.2 mT350±25%—
飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density3000 A/m · 25 ℃100 Hz380mT
飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density3000 A/m · 100 ℃100 Hz320mT
残留磁束密度 BrRemanence3000 A/m · 25 ℃100 Hz250mT
残留磁束密度 BrRemanence3000 A/m · 100 ℃100 Hz180mT
保磁力 HcCoercivity3000 A/m · 25 ℃100 Hz18A/m
保磁力 HcCoercivity3000 A/m · 100 ℃100 Hz15A/m
αμr(透磁率の温度係数)Temperature coefficient of permeability20~60 ℃25×10⁻⁶/K
相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor0.1 MHz & <0.2 mT15×10⁻⁶
相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor2.0 MHz & <0.2 mT35×10⁻⁶
キュリー温度 TcCurie Temp.100 kHz & <0.2 mT>200℃
密度 DDensityアルキメデス法5.1g/cm³
体積抵抗率 ρVolume Resistivity直流電流10⁷Ω·m

特性曲線

CURVE 01 · 初透磁率-温度特性Initial Permeability vs. Temperature
CURVE 02 · 複素透磁率-周波数特性Complex Permeability (μ′, μ″) vs. Frequency
CURVE 03 · 静的磁化曲線Static Magnetization Curves (B–H)
CURVE 04 · 相対損失係数-周波数特性Relative Loss Factor (tanδ/μi) vs. Frequency

適用用途

用途区分周波数帯温度
経済型インダクタ/EMI(Mg 系:Ni-Mg-Zn/Mg-Zn)第一推奨≤3.5 MHz—

使用される回路

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