鉄研科技(TAK)
Soft ferrite · NiZn & MnZn
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06 / Catalogue
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MnZn Power Ferrite · 高周波パワー材料 · 材質仕様

TM63

高周波低損失パワー材料HIGH-FREQUENCY LOW-LOSS POWER FERRITE

GaN / SiC Resonant TransformerMHz Gate-Drive / Isolation TransformerUltrasonic / Piezo DriverMHz Current TransformerHigh-Temp HF Supply

TM63 は高周波マンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率(μi)700、飽和磁束密度(Bs)540 mT(25 ℃)/450 mT(100 ℃)、キュリー温度 290 ℃ 以上と、適用周波数の上限はパワーシリーズで最も高く、100 ℃ でも 450 mT(保持率 83 %)を保ちます。低めの μi により最も広い適用帯域が得られ、1 MHz/50 mT の Pcv は 70 → 80 kW/m³、2 MHz/50 mT は 200 → 250 kW/m³、3 MHz/30 mT は 140 → 180 kW/m³ です。細粒・低 μi 材料は焼結条件の許容幅が狭いため大型コアは生産しておらず、適用範囲は小型・MHz 級・磁束振幅の小さいトランスです:GaN/SiC 共振トランス(1–3 MHz)、MHz 級の絶縁トランスおよびゲートドライブトランス、超音波・圧電駆動トランス(1–5 MHz)、および車載エンジンルームなど高温環境の小型高周波電源。大電流の単巻エネルギー蓄積インダクタには適しません(直流重畳能力は 8 材料の実測中で最も低く、220 nH 帯 100 ℃ I@90 % 41.7 A)。MHz 級インダクタには TM65 が第一候補(TM61 は代替)で、より高い μi が必要な 1–3 MHz のトランスには TM61 を採用できます。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性条件25 ℃100 ℃単位
初透磁率Initial Permeability μi100 kHz & <0.2 mT700±25%——
振幅透磁率Amplitude Permeability μa25 kHz/400 mT> 1400> 1200—
飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs1200 A/m 50 Hz540450mT
残留磁束密度Remanence Br1200 A/m 50 Hz10090mT
保磁力Coercivity Hc1200 A/m 50 Hz2015A/m
相対損失係数Loss Factor1 MHz<6<3010⁻⁶
キュリー温度Curie Temperature Tc100 kHz & <0.2 mT>290—℃
密度Density Dアルキメデス法>4.85—g/cm³
体積抵抗率Electrical Resistivity ρ直流電流10—Ω·m

コアロス Pcv Power Loss · kW/m³

試験条件25 ℃100 ℃試験条件25 ℃100 ℃
500 kHz/100 mT4006002 MHz/50 mT200250
1 MHz/50 mT70803 MHz/30 mT140180

Steinmetz 係数 Pcv = K·f^α·B^β

周波数範囲Kαβ
100 ≤5002.80E-080.9890563.83745
100 ≤10005.27E-091.138793.96891
100 ≤50003.57E-071.938741.47495

特性曲線

CURVE 01curve
CURVE 02curve
CURVE 03curve
CURVE 04curve
CURVE 05curve
CURVE 06curve

適用用途

用途区分周波数帯温度
LLC/共振・ブリッジトランス(共振インダクタ含む)第一推奨1–5 MHz40–80 ℃
小型 MHz 級トランス(1–5 MHz)第一推奨1–5 MHz40–80 ℃
小電力高周波トランス(低磁束)第一推奨1–5 MHz40–80 ℃
降圧 Buck 出力インダクタ代替0.8–5 MHz—
パルス・ゲートドライブトランス代替1–5 MHz—
広帯域信号トランス/バラン第一推奨1–5 MHz—
電流トランス代替1–5 MHz—

使用される回路

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