MnZn Power Ferrite · 高周波パワー材料 · 材質仕様
TM63
高周波低損失パワー材料HIGH-FREQUENCY LOW-LOSS POWER FERRITE
GaN / SiC Resonant TransformerMHz Gate-Drive / Isolation TransformerUltrasonic / Piezo DriverMHz Current TransformerHigh-Temp HF Supply
TM63 は高周波マンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率(μi)700、飽和磁束密度(Bs)540 mT(25 ℃)/450 mT(100 ℃)、キュリー温度 290 ℃ 以上と、適用周波数の上限はパワーシリーズで最も高く、100 ℃ でも 450 mT(保持率 83 %)を保ちます。低めの μi により最も広い適用帯域が得られ、1 MHz/50 mT の Pcv は 70 → 80 kW/m³、2 MHz/50 mT は 200 → 250 kW/m³、3 MHz/30 mT は 140 → 180 kW/m³ です。細粒・低 μi 材料は焼結条件の許容幅が狭いため大型コアは生産しておらず、適用範囲は小型・MHz 級・磁束振幅の小さいトランスです:GaN/SiC 共振トランス(1–3 MHz)、MHz 級の絶縁トランスおよびゲートドライブトランス、超音波・圧電駆動トランス(1–5 MHz)、および車載エンジンルームなど高温環境の小型高周波電源。大電流の単巻エネルギー蓄積インダクタには適しません(直流重畳能力は 8 材料の実測中で最も低く、220 nH 帯 100 ℃ I@90 % 41.7 A)。MHz 級インダクタには TM65 が第一候補(TM61 は代替)で、より高い μi が必要な 1–3 MHz のトランスには TM61 を採用できます。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 25 ℃ | 100 ℃ | 単位 |
|---|---|---|---|---|
| 初透磁率Initial Permeability μi | 100 kHz & <0.2 mT | 700±25% | — | — |
| 振幅透磁率Amplitude Permeability μa | 25 kHz/400 mT | > 1400 | > 1200 | — |
| 飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs | 1200 A/m 50 Hz | 540 | 450 | mT |
| 残留磁束密度Remanence Br | 1200 A/m 50 Hz | 100 | 90 | mT |
| 保磁力Coercivity Hc | 1200 A/m 50 Hz | 20 | 15 | A/m |
| 相対損失係数Loss Factor | 1 MHz | <6 | <30 | 10⁻⁶ |
| キュリー温度Curie Temperature Tc | 100 kHz & <0.2 mT | >290 | — | ℃ |
| 密度Density D | アルキメデス法 | >4.85 | — | g/cm³ |
| 体積抵抗率Electrical Resistivity ρ | 直流電流 | 10 | — | Ω·m |
コアロス Pcv Power Loss · kW/m³
| 試験条件 | 25 ℃ | 100 ℃ | 試験条件 | 25 ℃ | 100 ℃ |
|---|---|---|---|---|---|
| 500 kHz/100 mT | 400 | 600 | 2 MHz/50 mT | 200 | 250 |
| 1 MHz/50 mT | 70 | 80 | 3 MHz/30 mT | 140 | 180 |
Steinmetz 係数 Pcv = K·f^α·B^β
| 周波数範囲 | K | α | β |
|---|---|---|---|
| 100 ≤500 | 2.80E-08 | 0.989056 | 3.83745 |
| 100 ≤1000 | 5.27E-09 | 1.13879 | 3.96891 |
| 100 ≤5000 | 3.57E-07 | 1.93874 | 1.47495 |
特性曲線
CURVE 01

CURVE 02

CURVE 03

CURVE 04

CURVE 05

CURVE 06

適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| LLC/共振・ブリッジトランス(共振インダクタ含む) | 第一推奨 | 1–5 MHz | 40–80 ℃ |
| 小型 MHz 級トランス(1–5 MHz) | 第一推奨 | 1–5 MHz | 40–80 ℃ |
| 小電力高周波トランス(低磁束) | 第一推奨 | 1–5 MHz | 40–80 ℃ |
| 降圧 Buck 出力インダクタ | 代替 | 0.8–5 MHz | — |
| パルス・ゲートドライブトランス | 代替 | 1–5 MHz | — |
| 広帯域信号トランス/バラン | 第一推奨 | 1–5 MHz | — |
| 電流トランス | 代替 | 1–5 MHz | — |
鉄研科技(TAK)

