TM82 は超高飽和磁束のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）1200、飽和磁束密度（Bs）600 mT（25 ℃）／500 mT（100 ℃）、キュリー温度 300 ℃ 以上です。Bs はシリーズ最高で、100 ℃ でも 500 mT（保持率 83 %）を保ち、短絡や起動時の過渡でコア温度が 150 ℃ を超えても深い飽和に陥りにくくなっています。100 ℃ の Bs は T2／T2M より約 100 mT 高く、同じコアで高温時により大きな直流重畳に耐えるか、より小さなギャップを採用できます。25 kHz／400 mT の振幅透磁率（μa）は 100 ℃ でも 2200 を超え、重負荷時もインダクタンスが低下しにくくなっています。損失は低周波向けに位置づけられ、25 kHz／200 mT で 200 → 330 kW/m³ ですが、100 kHz／200 mT では 900 → 1600 kW/m³ に達するため、高磁束の 100 kHz 主トランスには適しません。主な用途は、PFC 昇圧チョーク、大電流のエネルギー蓄積用および出力フィルタ用インダクタ、直流重畳を受けるギャップ付きインダクタです。高 Bs 特殊パワー材料 2 種の中で TM82 は直流重畳と耐熱を指向した材料で、TM71 は高 μi・低 Hc によりパルス／ゲートドライブ用途に適します。磁束振幅が大きく直流重畳の小さい低周波トランスには、従来型低周波材料の T2／T2M を採用してください。ギャップ付きの場合は実効透磁率がギャップで決まるため、μi 1200 は制約になりません。