MnZn Power Ferrite · 中周波パワー材料 · 材質仕様

TM80

広温度低損失パワー材料WIDE-TEMPERATURE LOW-LOSS POWER FERRITE

SMPS Main TransformerForward / Flyback TransformerAutomotive PowerWide-Temperature Supply

TM80 は広温度・低損失のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）3000、飽和磁束密度（Bs）520 mT（25 ℃）／420 mT（100 ℃）、キュリー温度 230 ℃ 以上です。コアロスは 25 ℃ から 100 ℃ の間でほぼ一定（100 kHz／200 mT：350 → 330 kW/m³、500 kHz／50 mT：200 → 200 kW/m³）で、従来のパワー材料のように常温で損失が高く、昇温してはじめて低損失域に入るという特性がないため、コールドスタート時と全負荷の高温状態の効率を同様に予測できます。100 ℃ の Bs 420 mT と 7 A/m の保磁力により、大きな磁束振幅でもトランスの飽和余裕が保たれます。主な用途は、100–300 kHz のスイッチング電源主トランスおよびフォワード／フライバックトランスで、特に周囲温度の変化幅が大きい車載、屋外、産業用の電源に適しています。中周波 6 材料の中で TM80 は広温度系列の 100 kHz 高磁束域の基準です（TP 系 3 材料は常温損失が高く高温で低くなるタイプ）。動作点が 300 kHz／100 mT 寄りの場合は TM81、コアが長時間 120–140 ℃ になる場合は TM83 を採用します。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性	条件	25 ℃	100 ℃	単位
初透磁率Initial Permeability μi	100 kHz & <0.2 mT	3000±25%	—	—
振幅透磁率Amplitude Permeability μa	25 kHz/400 mT	> 4000	> 4000	—
飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs	1200 A/m 100 Hz	520	420	mT
残留磁束密度Remanence Br	1200 A/m 100 Hz	80	60	mT
保磁力Coercivity Hc	1200 A/m 100 Hz	10	7	A/m
相対損失係数Loss Factor	100 kHz & <0.2 mT	<6	—	10⁻⁶
キュリー温度Curie Temperature Tc	100 kHz & <0.2 mT	>230	—	℃
密度Density D	アルキメデス法	>4.8	—	g/cm³
体積抵抗率Electrical Resistivity ρ	直流電流	>5.5	—	Ω·m

コアロス Pcv Power Loss · kW/m³

試験条件	25 ℃	100 ℃
100 kHz/200 mT	350	330
300 kHz/100 mT	380	360
500 kHz/50 mT	200	200

Steinmetz 係数 Pcv = K·f^α·B^β

周波数範囲	K	α	β
100 ≤200	1.09E-07	1.7553	2.63056
100 ≤500	4.03E-07	1.71695	2.40254

特性曲線

CURVE 01

CURVE 02

CURVE 03

CURVE 04

CURVE 05

CURVE 06

適用用途

用途	区分	周波数帯	温度
フライバックトランス（>150 W）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–100 ℃
フライバックトランス（≦150 W、IDC 重視）	代替	≤0.3 MHz	—
フォワードトランス	第一推奨	≤0.3 MHz	25–100 ℃
プッシュプルトランス	第一推奨	≤0.3 MHz	25–100 ℃
LLC／共振・ブリッジトランス（共振インダクタ含む）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–100 ℃
広温度／高温電源トランス（コア温度 140 ℃ まで）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–100 ℃
降圧 Buck 出力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	—
昇圧 Boost 入力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	—
PFC チョークおよび大電流蓄積インダクタ	代替	≤0.3 MHz	—
フォワード／プッシュプル出力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	—
VRM／TLVR／PoL インダクタ	代替	≤0.3 MHz	—

使用される回路

代替降圧 Buck：出力インダクタ · Buck ≦0.3 MHz 代替降圧 Buck：出力インダクタ · VRM／TLVR ≦0.3 MHz 代替昇圧 Boost：入力インダクタ · ≦0.3 MHz 代替昇圧 PFC：力率改善インダクタ · ≦0.3 MHz 代替フライバック：エネルギー蓄積トランス · ≦150 W ≦0.3 MHz 第一推奨フライバック：エネルギー蓄積トランス · >150 W ≦0.3 MHz 第一推奨フォワード：トランス＋出力インダクタ · トランス ≦0.3 MHz 代替フォワード：トランス＋出力インダクタ · 出力インダクタ ≦0.3 MHz 第一推奨プッシュプル：センタータップトランス · トランス ≦0.3 MHz 代替プッシュプル：センタータップトランス · 出力インダクタ ≦0.3 MHz 第一推奨ハーフブリッジ LLC：メイントランス＋共振インダクタ · ≦0.3 MHz