鉄研科技（TAK）
NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様
M63
高周波安定材料HIGH FREQUENCY STABLE MATERIALS
HF Power InductorRF FilterEMI Suppression BeadEnergy-Transfer Module
M63 はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率（μi）約 180、飽和磁束密度（Bs）約 365 mT（25 ℃）／290 mT（100 ℃）、キュリー温度 300 ℃ 以上です。中〜高い透磁率でありながら低損失（損失係数 50×10⁻⁶ @0.5 MHz／80×10⁻⁶ @5.0 MHz）を維持し、Bs 365 mT、Tc 300 ℃ 以上を備えるため、透磁率・損失・磁束・耐熱性のバランスにより低〜中周波から HF 帯までのパワーインダクタの汎用主力グレードとなっています。EMI 抑制材料としての正規化インピーダンスは RH5×1.5×10 ビーズで実測しています（曲線は添付のデータシート参照）。主な用途は、低〜中周波から高周波までのパワーインダクタ、RF フィルタ、産業用電子機器のエネルギー伝送モジュールです。系列の中では M61（μi 約 100）と Q1C1（約 250）の間に位置し、より高い周波数上限が必要なら M61、より高いインダクタンス密度が必要なら Q1C1（キュリー温度は >140 ℃ と低め）を選定してください。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 初透磁率 μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 180±25% | — |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 365 | mT |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 290 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 240 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 190 | mT |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 200 | A/m |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 150 | A/m |
| αμr（透磁率の温度係数）Temperature coefficient of permeability | 20～60 ℃ | 10 | ×10⁻⁶/K |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 0.5 MHz & <0.2 mT | 50 | ×10⁻⁶ |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 5.0 MHz & <0.2 mT | 80 | ×10⁻⁶ |
| キュリー温度 TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >300 | ℃ |
| 密度 DDensity | アルキメデス法 | 4.9 | g/cm³ |
| 体積抵抗率 ρVolume Resistivity | 直流電流 | 10⁷ | Ω·m |
特性曲線
CURVE 01 · 初透磁率－温度特性
CURVE 02 · 複素透磁率－周波数特性
CURVE 03 · 静的磁化曲線
CURVE 04 · 相対損失係数－周波数特性
CURVE 05 · 正規化インピーダンス－周波数特性（Φ0.5 mm エナメル線 100 mm・1 ターン測定）
適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| 広帯域信号トランス／バラン | 第一推奨 | ≤6.7 MHz | — |
| アンテナロッド／RFID／高 Q インダクタ | 第一推奨 | 0.2–4.1 MHz | — |
| 低 μ 同調／高周波共振 | 第一推奨 | 0.2–4.1 MHz | — |
| EMI 抑制ビーズ／リング／スリーブ | 代替 | 100–300 MHz | — |