MnZn Power Ferrite · 中周波パワー材料 · 材質仕様

TM83★ 2027 NEW

全温度域低損失パワー材料FULL-TEMPERATURE-RANGE LOW-LOSS POWER FERRITE

Server / Telecom PowerNotebook / Charger TransformerAutomotive PowerHigh-Temperature SMPS

TM83 は全温度域低損失のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）3000、飽和磁束密度（Bs）545 mT（25 ℃）／425 mT（100 ℃）、キュリー温度 240 ℃ 以上です。特長は温度上昇に伴う損失の増加が極めて小さいことで、100 kHz／200 mT では 25 ℃ の 240 kW/m³ から 100 ℃ で 250、120 ℃ で 280、140 ℃ で 320 kW/m³、300 kHz／100 mT では 190／220／260／300 kW/m³ で、140 ℃ の 320 kW/m³ は TM80 の 25 ℃ 値 350 kW/m³ をなお下回ります。100 ℃ の残留磁束密度（Br）は 60 mT、保磁力（Hc）は 10 A/m です。高電力密度で放熱が制約される筐体内でコアが 120–140 ℃ にあっても、効率は大きく低下しません。主な用途は、コア温度が高めになる 100–300 kHz のスイッチング電源で、サーバーおよび通信用電源、ノート PC・充電器用トランス、車載電源です。中周波 6 材料の中で TM83 は 120 ℃ と 140 ℃ の損失データを提供する唯一の材料です。動作温度が 100 ℃ 以内であれば、100 kHz 高磁束域は TM80、300 kHz 域は TM81 で十分です。400 kHz／125 mT では 630 → 820 kW/m³ となるため、それ以上の周波数では中高周波パワー材料（TM50A／TM59）への切り替えを推奨します。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性	条件	25 ℃	100 ℃	単位
初透磁率Initial Permeability μi	f=10 kHz, B<0.25 mT	3000 ±25%	—	—
振幅透磁率Amplitude Permeability μa	f=25 kHz, B=200 mT	˃4000	˃4200	—
飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs	1200 A/m, 100 Hz	545	425	mT
残留磁束密度Remanence Br	1200 A/m, 100 Hz	70	60	mT
保磁力Coercivity Hc	1200 A/m, 100 Hz	15	10	A/m
キュリー温度Curie Temperature Tc	f=10 kHz, B<0.25 mT	≥240	—	℃
密度Density D	アルキメデス法	4.9	—	g/cm³
体積抵抗率Electrical Resistivity ρ	直流電流	5	—	Ωm

コアロス Pcv Power Loss · kW/m³

試験条件	25 ℃	100 ℃	120 ℃	140 ℃
100 kHz, 200 mT	240	250	280	320
300 kHz, 100 mT	190	220	260	300
400 kHz, 125 mT	630	820	970	1160

Steinmetz 係数 Pcv = K·f^α·B^β

周波数範囲	K	α	β
100 ℃ ≤300	4.69E-08	1.72071	2.73226
100 ℃ ≤500	9.16E-08	1.62615	2.72509

特性曲線

CURVE 01

CURVE 02

CURVE 03

CURVE 04

CURVE 05

適用用途

用途	区分	周波数帯	温度
フライバックトランス（>150 W）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃
フライバックトランス（≦150 W、IDC 重視）	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
フォワードトランス	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃
プッシュプルトランス	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃
LLC／共振・ブリッジトランス（共振インダクタ含む）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃
広温度／高温電源トランス（コア温度 140 ℃ まで）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃
降圧 Buck 出力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
昇圧 Boost 入力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
PFC チョークおよび大電流蓄積インダクタ	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
フォワード／プッシュプル出力インダクタ	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
VRM／TLVR／PoL インダクタ	代替	≤0.3 MHz	25–140 ℃
広温度パワーインダクタ（コア温度 140 ℃ まで）	第一推奨	≤0.3 MHz	25–140 ℃

使用される回路

代替降圧 Buck：出力インダクタ · Buck ≦0.3 MHz 代替降圧 Buck：出力インダクタ · VRM／TLVR ≦0.3 MHz 代替昇圧 Boost：入力インダクタ · ≦0.3 MHz 代替昇圧 PFC：力率改善インダクタ · ≦0.3 MHz 代替フライバック：エネルギー蓄積トランス · ≦150 W ≦0.3 MHz 第一推奨フライバック：エネルギー蓄積トランス · >150 W ≦0.3 MHz 第一推奨フォワード：トランス＋出力インダクタ · トランス ≦0.3 MHz 代替フォワード：トランス＋出力インダクタ · 出力インダクタ ≦0.3 MHz 第一推奨プッシュプル：センタータップトランス · トランス ≦0.3 MHz 代替プッシュプル：センタータップトランス · 出力インダクタ ≦0.3 MHz 第一推奨ハーフブリッジ LLC：メイントランス＋共振インダクタ · ≦0.3 MHz