V2F1 はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率（μi）約 30、飽和磁束密度（Bs）約 310 mT（25 ℃）／270 mT（100 ℃）、キュリー温度 300 ℃ 以上です。同系列のより低 μi のグレードに比べ、V2F1 は約 90 MHz の周波数上限を保ちつつ飽和磁束密度を 310 mT の水準まで引き戻しており、高周波回路にバイアスや電力成分がある場合の磁束余裕は V4F1／M5E1 より明らかに優れています。キュリー温度が 300 ℃ 以上のため、厳しい温度条件でも Q 値が安定します。主な用途は、90 MHz 以下の高周波フィルタ、RF 共振素子、中周波帯の低損失 RF インダクタです。名称が似ている V4F1（μi 約 10）はより高い周波数帯向けで、番号と μi の高低は対応していません。選定は周波数帯と磁束の要求に基づき、より高い周波数には V4F1／M5E1、より高い Q が必要な中周波帯には M9A を選定してください。