NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様
V4F1
高周波安定材料HIGH FREQUENCY STABLE MATERIALS
UHF Suppression BeadVHF / UHF RF FilterHigh-Speed Line Choke
V4F1 はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率(μi)約 10、飽和磁束密度(Bs)約 150 mT(25 ℃)/140 mT(100 ℃)、キュリー温度 320 ℃ 以上です。極めて低い透磁率と引き換えに非常に高い周波数上限を実現しています。Snoek の限界則により μi が低いほど共振周波数は高くなるため、V4F1 は VHF/UHF 帯においても誘導性と低い挿入損失を保ち、本カタログの高周波系列の周波数側の端に位置します。キュリー温度が 320 ℃ 以上で Bs の温度変化もほとんどなく、特性は温度に対して極めて鈍感です。主な用途は、UHF 帯以上のノイズ抑制用フェライトビーズ、超高周波 RF フィルタ、高速信号ラインのコモンモードノイズ抑制で、ワイヤレス給電や医療用電子機器の高周波回路にも使用されます。同系列の V2F1(μi 約 30)とは名称が似ていますが位置づけが異なり、V4F1 の方がむしろ μi が低く、周波数上限はより高くなります。一般的な 100 MHz 級以下のフィルタや共振用途には V2F1 または M5E1 で十分であり、V4F1 は最も高い周波数帯向けに使用してください。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 初透磁率 μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 10±25% | — |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 150 | mT |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 140 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 95 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 90 | mT |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 1450 | A/m |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 1400 | A/m |
| αμr(透磁率の温度係数)Temperature coefficient of permeability | 20~60 ℃ | 40 | ×10⁻⁶/K |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 25 MHz & <0.2 mT | 600 | ×10⁻⁶ |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 100 MHz & <0.2 mT | 700 | ×10⁻⁶ |
| キュリー温度 TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >320 | ℃ |
| 密度 DDensity | アルキメデス法 | 4.9 | g/cm³ |
| 体積抵抗率 ρVolume Resistivity | 直流電流 | 10⁷ | Ω·m |
特性曲線
CURVE 01 · 初透磁率-温度特性

CURVE 02 · 複素透磁率-周波数特性

CURVE 03 · 静的磁化曲線

CURVE 04 · 相対損失係数-周波数特性

適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| 広帯域信号トランス/バラン | 代替 | ≤55 MHz | — |
| アンテナロッド/RFID/高 Q インダクタ | 代替 | 3–55 MHz | — |
| 低 μ 同調/高周波共振 | 代替 | 3–55 MHz | — |
鉄研科技(TAK)

