T2 は低周波低損失のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）2800、飽和磁束密度（Bs）510 mT（25 ℃）／390 mT（100 ℃）、キュリー温度 180 ℃ 以上です。損失の極小値は常温にあり、25 kHz／200 mT で 110 kW/m³（25 ℃）→ 200 kW/m³（100 ℃）、100 kHz／100 mT で 110 → 240 kW/m³ と、従来型低周波 3 材料の中で 2 条件・2 温度いずれも損失が最も低くなっています。μi 2800 により低周波で同じインダクタンスに必要な巻数が最少となり、銅損と巻線体積もそれに応じて小さくなります。主な用途は、100 kHz 以下の電子安定器用インダクタ、低周波スイッチング電源トランス、広帯域バラン、電流トランスです。従来型低周波パワー材料 3 種の中で T2 は損失の基準材で、コアが長時間高温になる場合やより高い 100 ℃ Bs が必要な場合は T2M（410 mT）、角形ヒステリシスループが必要な場合は TB2 を採用します。直流重畳を受ける PFC やエネルギー蓄積用チョークには、高 Bs 特殊パワー材料の TM82 を採用します。損失は温度とともに上昇し、100 ℃ の Bs 保持率 76 % もパワー材料の中では低めのため、放熱設計ではコアを中低温に保ってください。