MnZn Power Ferrite · 中高周波パワー材料 · 材質仕様

TM59★ 2027 NEW

中高周波低損失パワー材料MID-HIGH-FREQUENCY LOW-LOSS POWER FERRITE

500–800 kHz High-Power TransformerLLC / CLLC Main TransformerServer / Telecom PowerResonant / Output Inductor

TM59 は中高周波低損失のマンガン亜鉛系パワーフェライトで、初透磁率（μi）1900、飽和磁束密度（Bs）530 mT（25 ℃）／430 mT（100 ℃）、キュリー温度 260 ℃ 以上です。主な特長は大きな磁束振幅での高周波損失で、500 kHz／100 mT で 600 → 550 kW/m³ と、この高磁束密度の動作点ではパワーシリーズ最低の値です。800 kHz／60 mT で 330 → 250 kW/m³、500 kHz／50 mT で 80 → 50 kW/m³ で、いずれの動作点でも 100 ℃ の損失が 25 ℃ を下回り、損失は負の温度係数を示します。シリーズ最低の残留磁束密度（Br 35 mT、100 ℃）と 10 A/m の保磁力によりヒステリシス損失は低く保たれ、430 mT の高温 Bs により大電力トランスは 100 mT 級の磁束振幅でも飽和余裕を確保できます。主な用途は 500–800 kHz の高周波大電力トランスで、サーバーおよび通信用電源の LLC／CLLC 主トランスや大電力高周波 DC-DC を含みます。100 ℃ の直流重畳能力は 8 材料の実測中で最も高く（220 nH 帯 I@90 % 48.4 A）、共振インダクタや出力インダクタにも主トランスと同じ材料を使用できます。中高周波パワー材料 2 種の中で TM59 は新規設計の推奨材料で、TM50A は前世代です（μi 2500、既存設計向けに継続）。TLVR などのインダクタ用途で 0.7 MHz 以上の場合は、MHz 級の TM65 への切り替えを推奨します。

電磁特性 Magnetic Characteristics

特性	条件	25 ℃	100 ℃	単位
初透磁率Initial Permeability μi	100 kHz & <0.2 mT	1900±25%	—	—
振幅透磁率Amplitude Permeability μa	25 kHz/400 mT	> 3000	> 3000	—
飽和磁束密度Saturation Flux Density Bs	1200 A/m 100 Hz	530	430	mT
残留磁束密度Remanence Br	1200 A/m 100 Hz	55	35	mT
保磁力Coercivity Hc	1200 A/m 100 Hz	15	10	A/m
相対損失係数Loss Factor	100 kHz & <0.2 mT	<5	—	10⁻⁶
キュリー温度Curie Temperature Tc	100 kHz & <0.2 mT	>260	—	℃
密度Density D	アルキメデス法	>4.85	—	g/cm³
体積抵抗率Electrical Resistivity ρ	直流電流	>10	—	Ω·m

コアロス Pcv Power Loss · kW/m³

試験条件	25 ℃	100 ℃	試験条件	25 ℃	100 ℃
300 kHz/100 mT	250	230	800 kHz/60 mT	330	250
500 kHz/50 mT	80	50	1 MHz/30 mT	100	70
500 kHz/100 mT	600	550	1 MHz/50 mT	350	250

Steinmetz 係数 Pcv = K·f^α·B^β

周波数範囲	K	α	β
100 ≤300	5.129E-09	1.455	3.5423
100 ≤1000	8.028E-11	2.0925	3.6525

特性曲線

CURVE 01

CURVE 02

CURVE 03

CURVE 04

CURVE 05

CURVE 06

適用用途

用途	区分	周波数帯	温度
フライバックトランス（>150 W）	第一推奨	0.3–1 MHz	25–100 ℃
フライバックトランス（≦150 W、IDC 重視）	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—
フォワードトランス	第一推奨	0.3–0.5 MHz	25–100 ℃
プッシュプルトランス	第一推奨	0.3–0.5 MHz	25–100 ℃
LLC／共振・ブリッジトランス（共振インダクタ含む）	第一推奨	0.3–1 MHz	25–100 ℃
降圧 Buck 出力インダクタ	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—
昇圧 Boost 入力インダクタ	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—
PFC チョークおよび大電流蓄積インダクタ	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—
フォワード／プッシュプル出力インダクタ	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—
VRM／TLVR／PoL インダクタ	第一推奨	0.5–0.8 MHz	—

使用される回路

第一推奨降圧 Buck：出力インダクタ · Buck 0.5–0.8 MHz 第一推奨降圧 Buck：出力インダクタ · VRM／TLVR 0.5–0.8 MHz 第一推奨昇圧 Boost：入力インダクタ · 0.5–0.8 MHz 第一推奨昇圧 PFC：力率改善インダクタ · 0.5–0.8 MHz 第一推奨フライバック：エネルギー蓄積トランス · ≦150 W 0.5–0.8 MHz 第一推奨フライバック：エネルギー蓄積トランス · >150 W 0.3–1 MHz 第一推奨フォワード：トランス＋出力インダクタ · トランス 0.3–0.5 MHz 第一推奨フォワード：トランス＋出力インダクタ · 出力インダクタ 0.5–0.8 MHz 第一推奨プッシュプル：センタータップトランス · トランス 0.3–0.5 MHz 第一推奨プッシュプル：センタータップトランス · 出力インダクタ 0.5–0.8 MHz 第一推奨ハーフブリッジ LLC：メイントランス＋共振インダクタ · 0.3–1 MHz