NiZn Ferrite · NiZn 材質仕様
Q1C1
高周波安定材料HIGH FREQUENCY STABLE MATERIALS
Low-Frequency EMI FilterRF Tuning ElementCompact Power-Module InductorEMI Suppression Bead
Q1C1 はニッケル亜鉛系フェライト材料で、初透磁率(μi)約 250、飽和磁束密度(Bs)約 335 mT(25 ℃)/240 mT(100 ℃)、キュリー温度 140 ℃ 以上です。高周波系列の高透磁率側の端に位置する材料で、損失係数はわずか 35×10⁻⁶(0.5 MHz)/45×10⁻⁶(2.5 MHz)と、この透磁率ステップとしては非常に低い水準です。巻数あたりのインダクタンスが高く、部品の小型化に有利です。EMI 抑制材料としての正規化インピーダンスは RH5×1.5×10 フェライトビーズで実測しています(曲線は次頁参照)。主な用途は、低周波 EMI フィルタ、RF 同調素子、小型化を追求する電源モジュール用インダクタです。M63(μi 約 180、Tc >300 ℃)と比べると、Q1C1 はインダクタンス密度が高い反面、キュリー温度が明らかに低く(>140 ℃)なります。温度環境が厳しい場合は M63/M61 を、常温での小型化設計には本系列の第一候補として Q1C1 を選定してください。
電磁特性 Magnetic Characteristics
| 特性 | 条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 初透磁率 μiInitial Permeability | 100 kHz & <0.2 mT | 250±25% | — |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 335 | mT |
| 飽和磁束密度 BsSaturation Flux Density | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 240 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 200 | mT |
| 残留磁束密度 BrRemanence | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 130 | mT |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 25 ℃100 Hz | 140 | A/m |
| 保磁力 HcCoercivity | 3000 A/m · 100 ℃100 Hz | 140 | A/m |
| αμr(透磁率の温度係数)Temperature coefficient of permeability | 20~60 ℃ | 10 | ×10⁻⁶/K |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 0.5 MHz & <0.2 mT | 35 | ×10⁻⁶ |
| 相対損失係数 tanδ/μiRelative Loss Factor | 2.5 MHz & <0.2 mT | 45 | ×10⁻⁶ |
| キュリー温度 TcCurie Temp. | 100 kHz & <0.2 mT | >140 | ℃ |
| 密度 DDensity | アルキメデス法 | 4.9 | g/cm³ |
| 体積抵抗率 ρVolume Resistivity | 直流電流 | 10⁷ | Ω·m |
特性曲線
CURVE 01 · 初透磁率-温度特性

CURVE 02 · 複素透磁率-周波数特性

CURVE 03 · 静的磁化曲線

CURVE 04 · 相対損失係数-周波数特性

CURVE 05 · 正規化インピーダンス-周波数特性(Φ0.5 mm エナメル線 100 mm・1 ターン測定)

適用用途
| 用途 | 区分 | 周波数帯 | 温度 |
|---|---|---|---|
| 小電力高周波トランス(低磁束) | 代替 | 0.5–3.5 MHz | — |
| 広帯域信号トランス/バラン | 第一推奨 | ≤3.5 MHz | — |
| アンテナロッド/RFID/高 Q インダクタ | 第一推奨 | 0.1–2.2 MHz | — |
| 低 μ 同調/高周波共振 | 第一推奨 | 0.1–2.2 MHz | — |
| EMI 抑制ビーズ/リング/スリーブ | 代替 | 100–300 MHz | — |
鉄研科技(TAK)

